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這款激光等離子體EUV光源是采用激光誘導等離子體LPP技術制造的LPP-EUV光刻光源,具有超高亮度和超低碎屑debris*優勢,非常適合取代Cymer公司LPP-EUV極紫外光源用于光刻。
這款
激光等離子體EUV光源采用快速旋轉液體金屬靶材，這種創新型的LPP靶材配備碎屑減緩技術（debris mitigation techniques）從而產生了清潔的光子EUV光源。
激光等離子體EUV光源采用快速旋轉靶材技術，具有如下特點：
-將液滴碎片重定向到遠離輸入（激光）和輸出（EUV）窗口的位置
-高重復率激光系統（高達1MHZ）的無干擾靶面
-目標連續時所需的最小同步
-優良的固有源空間穩定性
高轉速使得液滴角速度分布發生劇烈變化，初始速度與目標線速度相當
激光等離子體EUV光源型號S規格參數
| 型號 | EUV收集角 sr | 激光平均 功率, W | 激光 脈寬, ns | 激光重復 頻率, kHz | 等離子體 尺寸, µm | 亮度*, W/mm 2sr | EUV 功率** mW | 收集器壽命***, % |
| s100 | 0.05 | 100 | 1.5 | 25 | 60 | 110 | 5 | >1年 |
| s200 | 0.05 | 200 | 1.5 | 50 | 60 | 220 | 10 | >0.5年 |
| s400 | 0.05 | 400 | 1.5 | 100 | 60 | 450 | 20 | >0.5年 |
| 型號 | EUV收集角 sr | 激光平均 功率, W | 激光 脈寬, ns | 激光重復 頻率, kHz | 等離子體 尺寸, µm | 亮度* W/mm 2sr | EUV功率** mW | 收集器壽命***, % |
| M100 | 0.15 | 100 | 1.5 | 25 | 60 | 110 | 15 | >1year |
| M200 | 0.15 | 200 | 1.5 | 50 | 60 | 220 | 30 | >0.5year |
| M400 | 0.15 | 400 | 1.5 | 100 | 60 | 450 | 60 | >0.5year |
說明：所有參數均適用于帶內（13.5 nm±1%）輻射。帶內輻射的轉換效率為2%@2π。對于全波段（13.5nm±2%）的轉換效率為4%@2π，允許雙倍亮度和收集的EUV功率加倍。
通過使用可更換的膜，可以防止任何顆粒到達包含十字線、膜和任何敏感元件的腔室
*-在30-60um不同光源尺寸的等離子體中（亮度越高，光斑尺寸越小）
**-收集后鏡像。
***-反射率損失10%的時間
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