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目錄:孚光精儀(中國)有限公司>>光學測量系列>>晶圓測試儀器>> FPMDC-C-VC-V/I-V特性測試儀

C-V/I-V特性測試儀
  • C-V/I-V特性測試儀
參考價 面議
具體成交價以合同協議為準
參考價 面議
具體成交價以合同協議為準
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 FPMDC-C-V
  • 廠商性質 經銷商
  • 所在地 上海市
屬性

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更新時間:2024-07-16 13:41:40瀏覽次數:478評價

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產地類別 進口 應用領域 生物產業,電子/電池,航空航天,電氣
C-V/I-V特性測試儀是為半導體C-V特性分析測試和I-V特性測試分析設計的C-V/I-V測試系統。

C-V/I-V特性測試儀是為半導體C-V特性分析測試和I-V特性測試分析設計的C-V/I-V測試系統。
C-V/I-V特性測試儀具有較高的C-V測試精度,提供流線型C-V曲線和偏置溫度壓力程序,方便用戶使用,點擊鼠標就可測量C-V曲線,顯示所有C-V曲線繪圖和測試結果。密碼保護功能允許使用人員預設所有C-V測試結果和壓力測試周期。測試結果可保存起來用于后來分析。
C-V/I-V特性測試儀
C-V/I-V特性測試儀功能

提供Swept,Retrace或Pulsed模式,可以檢測C-V/I-V特性測試儀在不同情況下的性能。
Swept模式:測試襯底的摻雜,平帶電壓,閾值電壓,流動離子濃度等。*“閃光"和“穩定"功能可達到平衡反轉電容。
電導率測量:測量電導率和電容測量真實的器件電容值和耗盡區電導。
摻雜曲線:可把C-V曲線數據轉換成“摻雜曲線",這種摻雜曲線非常適合低摻雜離子注入監測。
C-V/I-V特性測試儀規格參數
PN結摻雜分布:范圍1x10^13離子/cm^3到1x10^18離子/cm^3,深度0.01微米~100微米。
                          深度和摻雜范圍由零偏壓耗盡寬度,擊穿電壓和儀器電壓范圍決定。
                          典型值:1x10^15離子/cm^3,深度:1~17微米
                                        1x10^16離子/cm^3,深度:0.33~2.5微米
                          精度:典型+/-2%
MOS摻雜分布:范圍2x10^14離子/cm^3到5x10^17離子/cm^3,深度0.01微米~10微米。
                          深度和摻雜范圍由擊穿電壓,氧化層擊穿和儀器電壓范圍決定。
                          典型值:1x10^15離子/cm^3,深度:0.01~5微米
                                        1x10^16離子/cm^3,深度:0.01~2微米
                          精度:典型+/-5%
植入劑量計算:  范圍5x10^10離子/cm^2到5x10^12離子/cm^2,
                          精度:典型+/-8%
壽命:                范圍0.1微秒~0.1秒
                          典型值:100~1000微秒
                          精度:典型+/-8%
平帶電壓偏移:  范圍:0.005V~50V
                          典型值:0.05V~0.2V
                          精度:+/-2%
流動離子電荷濃度:范圍1x10^10離子/cm^2到1x10^13離子/cm^2
                          典型值:2x10^10離子/cm^2/eV
                          精度:典型+/-2%,+/-1x10^10離子/cm^2
界面陷阱密度:范圍2x10^9離子/cm^2/eV到1x10^12離子/cm^2/eV
                          典型值:3x10^10離子/cm^2
                          精度:典型+/-7%,+/-3x10^9離子/cm^2/eV
C-V特性              范圍:+/-100V,+/-10fA ~+/-1mA
                          精度:+/-1%
結二極管參數:  范圍:Rs0.1~1000歐姆,Is:1x10^-3 ~ 1x 10^-8安培, n:1.0~2.0
                          典型值:Rs 2歐姆, Is 1x10^-11安培, n:1.2
                          精度:+/-5%
氧化物擊穿場     范圍:0~20MV/cm
                          典型值:8MV/cm
                          精度:+/-5%.


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