隨著集成電路行業的不斷發展，半導體線寬越來越小，細微的污染都可能改變半導體的性質，晶圓表面痕量的無機金屬離子和非金屬離子都會影響芯片良品率。晶圓制造過程中，光刻工藝約占整個集成電路制造成本的35%，與大規模集成電路光刻相關材料主要有溶劑、顯影劑、清洗劑、刻蝕劑和去膠劑，對其純度的要求已經達到G4、G5的水平。
全面有效的
半導體雜質控制方案
賽默飛離子色譜、電感耦合等離子體質譜、液質聯用儀和氣質聯用儀，為半導體制造提供無機和有機雜質控制的業界高水平分析技術，除了常規痕量無機陰離子、陽離子和金屬離子的檢測方案外，賽家高分辨質譜還能為生產過程中產生的多種原因不明成分進行定性、定量的高解析度質量分析，為進一步提升良率提供有效的全面分析解決方案！
賽默飛為半導體制造提供zui全面的分析檢測方案
賽家利器助力破解
半導體制造的分析難題
Dionex ICS-6000 HPIC離子色譜儀
賽默飛離子色譜“只加水"技術，無需手配任何試劑，不會產生污染，完quan滿足環境空氣和超純水中ppt級、高純試劑中ppb級陰陽離子的檢測需求。支持過程實時監控分析。
iCAP TQs ICPMS
賽默飛iCAP TQs ICPMS具有獨te的變頻阻抗RF發生器設計，保證冷焰和熱焰的平穩切換，可以獲得優異的長期穩定性，插入式進樣系統和分體式炬管方便維護。優異的冷等離子體和專li平面四極桿碰撞反應池技術可消除多原子離子干擾，確保ICPMS測定獲得低的檢出限。
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Orbitrap Exploris 120質譜儀
Orbitrap Exploris 120高分辨質譜儀，幫助客戶從復雜的背景干擾中分離得到目標物，對含量極低組分進行定性定量檢測，還可對不同批次的特定產品，檢測產品組成的細微差異，對其進行鑒定，找到差異產生的可能原因，滿足半導體測得到、測得準、測得快的檢測需求。
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Orbitrap Exploris GC 240
Orbitrap Exploris GC高分辨氣質聯用儀，具有質量精度高、分析動態范圍寬、高靈敏度的特點，其分辨率最高可達240,000，為半導體制程中的未知物定性分析提供了可深度挖掘的原始數據，為發現新化合物、尋找低濃度關鍵標志物提供了可能。
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助力國產半導體騰飛
半導體制程化學品分析實例
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電子級異丙醇（IPA）中的雜質分析
電子級異丙醇在半導體產業的硅晶片清洗、封裝測試等需求量很大，其純度對于產品的良率起到至關重要的作用。iCAP TQs ICPMS可靠穩定的RF發生器通過等離子體加氧除碳，即便在冷等離子體條件下也能獲得穩定的測定結果，并結合碰撞與反應模式進一步去除多原子離子的干擾，在一次測定中可穩定切換各種測定模式，提高易用性和分析效率。
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賽默飛高分辨氣質聯用儀，質量精度高、分析動態范圍寬，其高分辨、高靈敏度的特點為痕量未知物的分析提供了更好的途徑。對于目標物定性，除了采用NIST譜庫以及高分辨檢索外，可以通過Orbitrap/MS的高質量精確度碎片進行初步的結構推斷，包括元素組成分析，同位素輪廓分析等。此外，Orbitrap Exploris GC兼具定性分析和定量分析，具有超高的靈敏度和超寬的線性范圍，適合于不同含量等級的雜質定性定量分析。
異丙醇含雜質樣品及空白樣品TIC圖
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通過高分辨譜庫及精確質量碎片推算結構，雜質 1 的最終確定為C?H??O?
氫氧化四甲基銨（TMAH）雜質分析
四甲基氫氧化銨作為正膠顯影液被廣泛應用于半導體行業中，ICS-6000高壓離子色譜系統配備淋洗液發生器和自動再生電解膜抑制中和系統，實現在線中和、濃縮富集、分析檢測技術于一體，其靈敏度完quan滿足且高于 Semi 標準，符合超純電子級 TMAH 中陰離子雜質的測定要求。
典型 TMAH 樣品加標 5 ppb 常見分離譜圖
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三乙醇胺中的有機雜質分析
在半導體相關材料的研發生產過程中，準確地對雜質進行鑒定和監測，可以有利于工藝方案的優化及產品質量的控制。Orbitrap Exploris 120質譜儀可實現正負切換，一針進樣即可獲得高精度的一級和二級質譜數據，節約方法開發的時間且能獲得更可靠的結果，實現對濕電子化學品中有機雜質的解析。
樣品總離子流圖
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三乙醇胺的質譜分析
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雜質1 (C?H??O?N?)的質譜分析
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半導體材料檢測應用文集重磅上線！
賽默飛作為科學服務行業的領導zhe，憑借其離子色譜、電感耦合等離子體質譜等技術實力，開發出各類半導體材料中痕量無機陰離子、陽離子和金屬離子的檢測方案，幫助半導體客戶實現良率的提升！此外，更有Orbitrap技術加持的材料解析技術、GDMS分析高純材料、元素分析金標準的HR-ICPMS技術等多種獨門武qi，為我國半導體產業發展提供全面的分析技術支持！
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