伴隨物聯網、人工智能、新能源汽車、消費類電子產品等持續增長，gao端芯片需求不斷增加，芯片制程不斷減小，集成電路相關的材料的檢測要求也達到了新的高度。與集成電路制程相關的晶圓、襯底材料、濕電子化學品、電子特氣、光刻膠等，以及車間環境空氣和超純水中痕量的金屬離子、非金屬陰離子和陽離子的限量越來越低。為滿足半導體制程需求，國際半導體設備與材料協會(semi)制定的相關標準在不斷提升，國內集成電路材料企業也在不斷提升產品質量，對相關雜質的xian量要求正在接近或超越Semi標準。
2022年9月27日，賽默飛世爾科技與上海市電子化學品計量檢測平臺在集成電路及材料研發聚集地上海張江，聯合舉辦了2022集成電路材料檢測高端論壇。本次會議特別邀請上海計量測試研究院材質中心理化室主任薛民杰、集成電路產業中心主任李春華，以及國內半導體材料及制程yi流企業和科研院所的眾多資深專家，就集成電路材料檢測領域的發展現狀、技術應用、行業標準等方面進行了熱烈充分的交流與探討。
伴隨物聯網、人工智能、新能源汽車、消費類電子產品等持續增長，高端芯片需求不斷增加，芯片制程不斷減小，集成電路相關的材料的檢測要求也達到了新的高度。與集成電路制程相關的晶圓、襯底材料、濕電子化學品、電子特氣、光刻膠等，以及車間環境空氣和超純水中痕量的金屬離子、非金屬陰離子和陽離子的限量越來越低。為滿足半導體制程需求，國際半導體設備與材料協會(semi)制定的相關標準在不斷提升，國內集成電路材料企業也在不斷提升產品質量，對相關雜質的xian量要求正在接近或超越Semi標準。
2022年9月27日，賽默飛世爾科技與上海市電子化學品計量檢測平臺在集成電路及材料研發聚集地上海張江，聯合舉辦了2022集成電路材料檢測高端論壇。本次會議特別邀請上海計量測試研究院材質中心理化室主任薛民杰、集成電路產業中心主任李春華，以及國內半導體材料及制程yi流企業和科研院所的眾多資深專家，就集成電路材料檢測領域的發展現狀、技術應用、行業標準等方面進行了熱烈充分的交流與探討。
上海計量測試研究院集成電路產業中心主任李春華就ICP-MS在集成電路行業的解決方案進行了詳細解讀。李主任從事檢測分析13年，參與起草國家標準12項，在濕電子化學品、超純水、AMC、硅片、金屬靶材、電子特氣和光刻膠等集成電路相關材料中痕量和超痕量雜質檢測方面有豐富的經驗，所屬實驗室在多種濕電子化學品、超純水中痕量無機金屬離子、無機非金屬陰離子和陽離子等檢測項目已通過CNAS和CMA認證。
李主任著重介紹了集成電路產業中的關鍵材料濕電子化學品和電子特氣的檢測要求，對標semi標準詳細探討了國內相關產業的現狀及標準提高的可行性，ICPMS技術在集成電路行業中的應用及發展，分享了上海計量測試研究院集成電路產業中心與賽默飛世爾科技合作開發的多項濕電子化學品、電子特氣、光刻膠等材料中痕量金屬離子檢測方法。針對超痕量分析，李主任還現場解答了與會者在實驗過程中遇到的難題，詳細解讀了實驗室環境和人為因素對檢測結果的影響。
來自賽默飛的應用專家潘廣文、徐牛生、王贇杰就賽默飛離子色譜、高分辨LCMS以及GDMS產品線在集成電路行業應用解決方案進行了詳細解讀。并與李春華主任及其他參會專家就半導體行業標準、未來發展趨勢、儀器分析難點等問題進行了深入討論，現場氣氛非常熱烈。
半導體行業應用方案
離子色譜應用專家潘廣文做了題為離子色譜在集成電路行業的應用方案報告，就離子色譜在集成電路的成熟方案、先進方法和前沿問題為在座專家做了詳細匯報。
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在集成電路用量最大的超純水檢測方面，賽默飛根據Semi F63的和ASTM D5127標準提供了全面有效的陰陽離子測定方案，該方案在RSD?5%的前提下，滿足20ppt的定量限要求，且連續7天24小時不停機，樣品隨到隨測，全程只需擺放樣品，近乎“零操作”；
國內廠家生產的酸、堿、有機試劑三大系列濕電子化學品中痕量陰陽離子的檢測水平已經達到亞ppb~ppb級別，遠超semi標準；
在光刻和刻蝕領域，賽默飛與行業相關生產企業合作開發了光刻膠、研磨液、拋光液、電子特氣等多個先進方案；
同時潘老師的報告還展示了目前賽默飛正在與企業合作開發的光刻相關試劑、硝酸、反應型電子特氣以及新型管道包裝材料中痕量陰離子測定方案。
LC-MS全國應用經理徐牛生為與會專家匯報了賽默飛的高分辨質譜設備在光刻膠配方分析中的解決方案。
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賽默飛高分辨質譜具有高超的質量精度和靈敏度，可以精準分辨加合狀態和不同峰簇之間的同位素干擾，豐富的碎片和質量精度可以幫助判斷化合物結構組成，正負離子同時掃描可以獲得更多的化合物信息，完善的質譜譜庫為客戶在未知物匹配分析方面提供了強有力的支持。對光刻膠、濕電子化學品中未知物的探索和反應機理拓展將促進相關行業的質量標準不斷提升。
賽默飛GD-MS專家王贇杰為在座專家詳細介紹了GD-MS(輝光放電質譜法)的使用特點和應用領域。輝光放電質譜法采用固體直接進樣技術，具有樣品制備簡單，背景低，測試高效等優點。
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Element GD采用雙模式快速流離子源，連續直流放電具有高濺射效率，高分析靈敏度和低的記憶效應特點，脈沖放電適合于非導體、低熔點金屬和鍍層分析，并結合高分辨率磁質譜確保無干擾分析。使Element GD在硅和碳化硅表面和體相雜質、6N+級高純銅、高純鉬、5N級高純金及氧化銦錫ITO等濺射靶材中痕量雜質分析中得到廣泛的應用。賽默飛與客戶合作，充分利用Element GD的優異性能，服務并yin領高純金屬靶材以及碳化硅等三代半導體材料檢測的新技術和新標準。
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