測(cè)量系統(tǒng)規(guī)格

基本功能：獲取薄膜厚度值以及R、N/K等光譜

光譜分析范圍：380nm-1000nm

測(cè)量光斑大小：標(biāo)準(zhǔn)1.5mm，最小0.5mm

膜厚重復(fù)性測(cè)量精度：0.02nm（100nm 硅基SiO2樣件，100次重復(fù)測(cè)量）

膜厚精度：0.2%或2nm之間較大者

膜厚測(cè)量范圍：15nm-70μm

測(cè)量n和k值厚度要求：100nm以上

單點(diǎn)測(cè)量時(shí)間：≤ 1s

光源：標(biāo)準(zhǔn)鹵燈光源（光源壽命2000小時(shí)）

分析軟件：多達(dá)數(shù)百種的光學(xué)材料常數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)，并支持用戶自定義光學(xué)材料庫(kù)；提供多層各向同性光學(xué)薄膜建模仿真與分析功能

樣品臺(tái)規(guī)格：

基板尺寸：支持樣件尺寸到150*150mm(可升級(jí)定制不同尺寸樣品臺(tái))

測(cè)控與分析軟件

光譜測(cè)量能力：反射率光譜測(cè)量

數(shù)據(jù)分析能力：膜厚分析能力，光學(xué)常數(shù)（折射率和消光系數(shù)）

支持常用光學(xué)常數(shù)模型以及常用振子模型（柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等）；

支持用戶自定義，可離線分析軟件模擬實(shí)際測(cè)量，支持Windows 10操作系統(tǒng)