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| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
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石墨烯場效應晶體管芯片S10，GFET-S10
中文名稱：石墨烯場效應晶體管芯片S10（GFET-S10）
英文名稱：Graphene Field-Effect Transistor chip S10
cas號：7440-44-0
芯片尺寸：10mm x10mm
芯片厚度 ：675μm
每個芯片的GFET數量：36
柵氧化層厚度：90nm
柵極氧化物材料：SiO2
基體電阻率：1-10Ω.cm
Dirac點：＜50 V
良率：＞75%
石墨烯場效應遷移率：＞1000cm2/V.
應用：石墨烯器件研究，化學傳感器，生物傳感器，生物電子學，磁傳感器，光電探測器。
保存條件：常溫干燥避光，密封保存
石墨烯場效應晶體管芯片S10，GFET-S10
GFET-S10芯片提供36個石墨烯器件，以網格模式分布在芯片上。30 個器件具有霍爾棒幾何形狀，6個器件具有2探頭幾何形狀。霍爾棒器件可用于霍爾棒測量以及4探頭和2探頭設備。石墨烯通道尺寸各不相同，可以研究幾何形狀對器件特性的依賴性。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.6.
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