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?V2NiSe4晶體,超導(dǎo)材料,拓撲絕緣體

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更新時間:2024-01-11 16:47:00瀏覽次數(shù):221次

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?V2NiSe4晶體,超導(dǎo)材料,拓撲絕緣體
V2NiSe4通常是一種層狀化合物,其晶格結(jié)構(gòu)可能導(dǎo)致一些電子和磁性質(zhì)。

V2NiSe4晶體,超導(dǎo)材料,拓撲絕緣體

中文名稱:V2NiSe4晶體

性質(zhì)分類:金屬性,超導(dǎo)材料,拓撲絕緣體

禁帶寬度:0eV

合成方法:CVT

剝離難易程度:中

保存注意事項:晶體需要避開水氧保存

純度:99.9%

保存時間:1年

規(guī)格:mg

包裝:瓶裝/袋裝

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V2NiSe4晶體,超導(dǎo)材料,拓撲絕緣體

V2NiSe4是一種由釩(V)、鎳(Ni)和硒(Se)組成的化合物,具有晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。

這種化合物的晶體結(jié)構(gòu)包含釩、鎳和硒原子,形成了層狀結(jié)構(gòu)。V2NiSe4通常是一種層狀化合物,其晶格結(jié)構(gòu)可能導(dǎo)致一些電子和磁性質(zhì)。

V2NiSe4在研究中引起了一些興趣,在磁性和電子傳輸方面。它可能表現(xiàn)出一些磁性行為和電子結(jié)構(gòu),這使得人們對其在磁性材料和電子器件中的潛在應(yīng)用產(chǎn)生了興趣。然而,關(guān)于V2NiSe4的具體性質(zhì)和潛在應(yīng)用還需要更多深入的研究和探索。

晶體(crystal)是由大量微觀物質(zhì)單位(原子、離子、分子等)按一定規(guī)則有序排列的結(jié)構(gòu),因此可以從結(jié)構(gòu)單位的大小來研究判斷排列規(guī)則和晶體形態(tài) 。晶體按其結(jié)構(gòu)粒子和作用力的不同可分為四類:離子晶體、原子晶體、分子晶體和金屬晶體。固體可分為晶體、非晶體和準晶體三大類。

【定制產(chǎn)品:】

2-苯基4-甲基喹啉(4m2pq)

2-苯基-4-甲基喹啉氯橋二聚體(4m2pq)2-Ir(μ-Cl)2Ir(4m2pq)2

(4m2pq)2-Ir(acac)晶體【三斜晶系】

4H-SiC晶體【六方晶系】

6H-SiC晶體【六方晶系】

15R-SiC晶體

雙吡啶雙西佛堿有機分子晶體(bpbd)

C14H10O5有機晶體【單斜晶系】

二茂鐵羰基丙酸(fcpa)偶聯(lián)4,4′-聯(lián)吡啶(bpy),[(fcpa)2bpy]晶體

二維無機-有機雜化化合物Co3(fcz)4(V3O9)2-2H2O單晶【三斜晶系】

[C6N2H18]0.5[B5O6(OH)4]晶體【單斜晶系】

以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.11.

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。



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