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當前位置：武漢賽斯特精密儀器有限公司>>半導體測試儀器解決方案>>半導體檢測儀器設(shè)備>> HEP-MC8000晶圓檢測機
| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號HEP-MC8000
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地武漢市
更新時間：2024-10-10 18:51:48瀏覽次數(shù)：446次
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ITC57300 MOS管半導體動態(tài)參數(shù)測試儀
ITC57300分立器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
晶圓檢測機采用非接觸檢測系統(tǒng)，對晶圓的平面度、厚度、粗糙度等進行檢測并分類，并完成晶圓標記及數(shù)據(jù)處理。
該設(shè)備產(chǎn)能：1片/分鐘。
該設(shè)備主要包含：
運動機構(gòu)：將晶圓放入工作臺，通過高精度運動模組，移動晶圓進行掃描檢測。
檢測部分：集成相機、激光三維輪廓測量儀、位移激光傳感器對晶圓的厚度、平面度、粗糙度等進行全方面的檢測。
晶圓檢測機檢查內(nèi)容：
檢查項目 | 指 標 | 備 注 | |
表面缺陷檢查 | 崩邊（非立崩）、缺口 | 可檢能力≥170um*170um 檢出率100% | 圖像灰度值差距>30；列出大小指標是可檢能力，設(shè)置過小會存在誤判多的問題，因此設(shè)定參數(shù)需按實際生產(chǎn)需求設(shè)定 |
沾污 | 可檢能力≥170um*170um 檢出率≥95% 誤檢率<0.5%（大小≥450um*450um情況下或?qū)嶋H生產(chǎn)需求設(shè)定的指標） | ||
劃傷 | 可檢能力≥170um*170um 檢出率>95%（大小≥170um*450um情況下或?qū)嶋H生產(chǎn)需求設(shè)定的指標） 劃傷淺易漏檢 | ||
3D檢測 | 厚度 | 檢測精度分辨率+/-0.25um 測量重復性：≤±1μm GR&R<10% | 最大、最小、平均值 |
TTV | 測量精度+/-2um GR&R<10% | TTV整條線 | |
翹曲、變形 | 測量精度+/-2um GR&R<20% | 最大值 | |
平面度 | +/-0.5um | 偏差值 | |
粗糙度 | 計算值 | ||
處理能力 | 檢測周期 | 60s/片 | |
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