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北京亞科晨旭科技有限公司
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當前位置:北京亞科晨旭科技有限公司>>薄膜制備>>磁控濺射>> ULVAC QAM系列ULVAC 研究開發用濺射設備 QAM系列

ULVAC 研究開發用濺射設備 QAM系列

參  考  價面議
具體成交價以合同協議為準

產品型號ULVAC QAM系列

品       牌

廠商性質生產商

所  在  地北京市

更新時間:2024-09-25 13:59:46瀏覽次數:1041次

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QAM 系列鍍膜設備是一種用于研究開發的精密濺射鍍膜機,可用于各種基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄膜的濺射鍍膜制程

ULVAC  研究開發用濺射設備 QAM系列

QAM 系列鍍膜設備是一種用于研究開發的精密濺射鍍膜機,可用于各種基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄膜的濺射鍍膜制程

主要特征

A.低壓濺 工藝環境

 能在較低壓力下進行濺射成膜(持續放電壓力 1~0.1Pa     

B.應對磁性材料薄膜的制程

l  陰極可以安裝各種磁場材料的靶材(Fe、Ni、Co 等)

C.多組分共成膜/多層成膜

l  多陰極同時對位基板中心,能夠進行多組分共成膜

l  開閉可控的擋板設計實現多層膜的制備    

D.   良好的膜厚均勻性/穩定沉積    

l  傾斜入射的濺射過程,實現良好的膜厚均勻性 

l  采用ULVAC-LTS※ 1技術,大程度抑制陰極邊緣不勻等

離子體對基板的影響,實現穩定沉積

注 )※ 1:LTS:Long Throw Sputter

E.      UHV 對應 

    l  通過增加選項標準部品,可實現腔體本底 高真空:1.0×10‐6Pa 以下真空壓力。

F.      高拓展性   

l  通過變更相應模塊或部件適應性設計,來實現更多用途

 

 

 

 

 

 

 

低真空工藝環境

本設備具備約1Pa~0.1Pa的等離子體持續放電壓力范圍,與傳統設備相比能  夠在更低壓力下進行濺射成膜。

多組分共濺射/多層膜濺射

本設備具有多陰極同時對準襯底中心的結構,從而能夠進行多組分共濺射成  膜。另外可以通過控制擋板開閉實現多層膜的制備。

良好的膜厚分布

本設備采用對襯底傾斜的入射方式,從而能夠實現非常良好的膜厚分布。

LTS的采用

本設備通過采用ULVAC的LTS ※ 1技術,從而能夠盡可能的抑制陰極附近的不均勻等離子體對襯底的影響。

并且,該技術還能夠盡可能的抑制來自陰極磁鐵磁場的影響。 注)※ 1:LTS:Long Throw Sputter

對磁性材料薄膜的對應

本設備中使用的陰極能夠對應各種磁性材料(Fe、Ni、Co等)。

操作界面前置

本設備通過將操作界面集中配置在設備前方,使得操作者能夠僅在設備正面完  成設備的開啟、關閉以及成膜等操作。先進的功能、直觀的的操作以及安全性的實現

Repeatability

能夠確保再現性

本設備能夠將成膜和加熱的相關參數作為Recipe保存,從而通過自動運行來實現高再現性的實驗。

Safety

能夠在Interlock設置下安全操作

本設備能夠通過設置Interlock來防止誤操作,從而實現對設備的保護和對人身安全的確保。同時,本設備能夠一并管理設備狀態,還能夠     任意設定靶材壽命等參數在某數值下報警。

Intuitive operation

直觀的操作界面

本設備中排氣和工藝的操作按鈕以動作流程為基準而配置,從而能夠直觀地進行操作工藝。

Analysis

能夠進行工藝數據分析

本設備能夠每隔1秒將工藝進行時的壓力、加熱、成膜時間的當前值作為履歷并按時間序列(Time      Series)記錄。收集的數據以文本格式保在外部存儲器中,并且能夠利用計算機對保存的數據進行分析和記錄。

 

 

高拓展性

本設備能夠通過模塊的增設,來對應更多的用途。

低真空工藝環境

本設備具備約1Pa~0.1Pa的等離子體持續放電壓力范圍,與傳統設備相比能夠在更低壓力下進行濺射成膜。

多組分共濺射/多層膜濺射

本設備具有多陰極同時對準襯底中心的結構,從而能夠進行多組分共濺射成膜。另外可以通過控制擋板開閉實現多層膜的制備。

良好的膜厚分布

本設備采用對襯底傾斜的入射方式,從而能夠實現非常良好的膜厚分布。

采用LTS技術

本設備通過采用ULVAC的LTS※1技術,從而能夠盡可能的抑制陰極附近的不均勻等離子體對襯底的影響。

并且,該技術還能夠盡可能的抑制來自陰極磁鐵磁場的影響。注)※1:LTS:Long Throw Sputter

UHV對應

本設備通過使用可加熱式的各配置,使得成膜腔室的壓力能夠到達1×10-6Pa※2以下。

注)※2:本設備采用O-Ring Seal結構,與傳統設備的金屬Seal結構相比更加容易進行維護保養。

對磁性材料薄膜的對應

本設備中使用的陰極能夠對應各種磁性材料(Fe、Ni、Co等)。

 

 

諸單元

型 號

QAM-4D

 

 

 

 

成膜腔室

處理方式

Load-L

ock式

陰極型式

Long Throw Magnetron Sputtering

●Helicon-Sputtering※1 ※可選

陰極數

2英寸陰極(磁性材料、非磁性材料共用)

多搭載8臺

搭載電源

DC500W 1臺

  • DC500W、RF300W※2   多搭載8臺 ※可選

到達壓力(UHV對應)

1×10-4Pa 以下 (●1×10-6Pa 以下能夠對應※3 ※可選)

對應襯底尺寸

Max.φ4英寸×1枚

膜厚分布

±5%以內(Al成膜式、襯底回轉并用)

襯底加熱裝置

  • 紅外線燈式加熱器 大500 ℃ ※可選
  • 高溫型加熱器 大800℃ ※可選

排氣系統

1)分子泵

2)油旋片泵

  • 干式泵 ※可選

大氣體輸入量

Max.50sccmAr

●Max.10sccmO2) ※可選

  • Max.10sccmN2 ※可選

靶材尺寸

φ2英寸

 

腔體加熱方式

  • 110℃烘烤 (包含腔體水冷卻 ※可選

 

真空預抽室

到達壓力(分子泵對應)

40Pa以下(●1×

10-3Pa 以下 ※可選)

搬送方式

真空機械手式

排氣系統

油旋片泵(

  • 分子泵

與成膜室共用)

※可選

操作控制系統

排氣

觸屏式(PLC控制器) 遠程手動※4 全自動※5

成膜

 

廠務系統

電力

3φ AC200V 50 / 60Hz

冷卻水

20~28℃、電阻率5KΩ以上、 供給壓力0.2 ~ 0.3MPa

壓縮空氣

0.5 0.7MPa

接地

A類、D類

 

 


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