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帶RIE等離子刻蝕機(jī)處理模式介紹

時間:2015-12-17閱讀:4091
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   帶RIE等離子刻蝕機(jī)是干法刻蝕中zui常見的一種形式,其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體,由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過電場加速時,會釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講,等離子清洗實(shí)質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進(jìn)行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進(jìn)行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng),反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實(shí)際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。
  
帶RIE等離子刻蝕機(jī)處理模式:
  直接模式——基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上,以獲得zui大的平面刻蝕效果。
  定向模式——需要非等向性刻蝕(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
  下游模式——基片可以放置在不帶電托架上,以便取得微小的等離子體效果。
  定制模式——當(dāng)平面刻蝕配置不過理想時,特制的電極配置可以提供。
  
濕法刻蝕相對于帶RIE等離子刻蝕機(jī)的缺點(diǎn)
  1. 硅片水平運(yùn)行,機(jī)片高(等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干,硅片受沖擊?。?/span>
  2. 下料吸筆易污染硅片(等離子刻蝕去PSG后甩干);
  3. 傳動滾抽易變形(PVDF,PP材質(zhì)且水平放置易變形);
  4. 成本高(化學(xué)品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加)。
  此外,有些等離子刻蝕機(jī),如SCE等離子刻蝕機(jī)還具備“綠色”優(yōu)勢:無氟氯化碳和污水、操作和環(huán)境安全、排除有毒和腐蝕性的液體。
  
帶RIE等離子刻蝕機(jī)檢驗(yàn)操作及判斷
  1. 確認(rèn)萬用表工作正常,量程置于200mV。
  2.冷探針連接電壓表的正電極,熱探針與電壓表的負(fù)極相連。
  3.用冷、熱探針接觸硅片一個邊沿不相連的兩個點(diǎn),電壓表顯示這兩點(diǎn)間的電壓為正值,說明導(dǎo)電類型為P 型,刻蝕合格。相同的方法檢測另外三個邊沿的導(dǎo)電類型是否為P型。
  4.如果經(jīng)過檢驗(yàn),任何一個邊沿沒有刻蝕合格,則這一批硅片需要重新裝片,進(jìn)行刻蝕。

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