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化學氣相?沉積法CVD（Chemical Vapor Deposition）是近年發展起來的制備無機材料的新技術。此方法是利用氣態或蒸汽狀態的物質在固體表面上進行化學反應，從而形成所需要的固態薄膜或涂層的過程。其中，用氫氣還原鹵化物來制備各種金屬或多晶硅薄膜是為常用的化學反應，此還原反應的方法應用范圍廣泛，可制備單晶、多晶以及非晶薄膜，另外也容易摻雜。

作為反應中*的還原氣體，氫氣在CVD反應中扮演著極其重要的作用。通常實驗室如今還在使用傳統的氫氣鋼瓶作為氫氣氣源，但是氫氣鋼瓶不僅搬運、使用不便，而且氫氣是易燃易爆氣體，存在極大的安全隱患。因此，氫氣發生器便成為了代替氫氣鋼瓶的選擇。如今，Peak氫氣發生器已廣泛應用于CVD實驗，是化學氣相沉積應用的可靠安全的氫氣氣源。

應用優勢：

1.高純度

作為反應中*的還原氣體，高純度氫氣在CVD反應中扮演著極其重要的作用。

氫氣中微量氧或水蒸氣等雜質會對沉積過程產生很大影響，當有氧存在時，沉積物的晶粒劇烈生長，并伴有分層現象出現。

Peak氫氣發生器采用三重過濾技術，所產氫氣純度＞99.9999%，氧氣含量< 1ppm，水含量< 1ppm，過濾技術及氫氣純度都為市場。

Peak高純氫氣發生器

2.安全性

Peak氫氣發生器因其即產即用、按需供給的特點，成為極為安全、可靠的氫氣氣源。

Peak氫氣發生器采用PEM質子交換膜電解純水的原理產生高純氫氣，無需添加堿液，即插即用，使用方便，而且具有開機自檢、壓力報警等特性，全面保障發生器的安全性。

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