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FERA3雙束掃描電鏡離子束流高達 2 µA，因此其濺射速度是傳統 Ga 離子源的 50 倍以上，這使得 FERA3 成為完成耗時過長或幾乎不可能實現的大體積銑削任務的理想設備。

在 FIB-SEM 系統中，電子和離子束的焦點可以重合，從而可以對多種實際應用進行優化。這一特征使得其在 FIB 銑削任務期間能夠同時進行 SEM 成像——這使得在完成*精度要求的 FIB 操作時，性能和吞吐量都有了巨大飛躍。同時，FERA3 配備有高性能的電路系統以用于更快的圖像采集，超快速的靜態和動態圖像畸變補償掃描系統以及用戶自定義內置應用程序腳本等。

FERA3雙束掃描電鏡

突出特點

現代電子光學系統

• Wide Field Optics™設計，利用中間鏡 ( IML) 技術使掃描電鏡具有多種操作和顯示模式，如大視野模式、景深增強模式等；
• 實時電子束追蹤技術(In-Flight Beam Tracing™)，可實現性能及電子束的優化，同時直接連續調節控制電子束參數；
• 全自動電子光學系統的設置與對中；
• 極快速的圖像采集速率，高達 20 ns；
• 應用3D 電子束技術可實現*的實時立體成像觀察，開啟驚奇的 3D 體驗及 3D 導航微納世界之旅；

極其強大的 Xe 等離子源 FIB 鏡筒

高電子回旋共振（High-ECR）產生的 Xe 等離子源 FIB 鏡筒，可完成 Ga 離子源 FIB 在納米工程領域不能完成的任務

• 濺射速率比 Ga 液態金屬離子源快 50 倍；
• 離子束流范圍：1 pA ~ 2 µA, 分辨率：< 25 nm；
• 新研發的高分辨率 Xe 等離子體 FIB 鏡筒（選配），分辨率優于15nm，進一步增強刻蝕能力；
• 大重量的 Xe 等離子具備更大的 FIB 電流范圍，在無氣體輔助增強的條件下也可實現超快濺射
• 相較于 Ga 液態金屬離子源，離子注入效應顯著減少；
• Xe 惰性氣體原子不會改變圖樣區域附近的電學性能；
• 銑削過程中無金屬間化合物形成。