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XEIA3掃描電鏡集非凡的超高分辨成像能力和優異的微細加工于一體。強大且超快速的微/納米 FIB 加工、低能電子束下的超高分辨率（UHR）、超快且可靠的微量分析和三維重構功能，使得 XEIA3 成為一款理想易用的 FIB-SEM 系統。隨著 XEIA3 的問世，TESCAN 不僅躋身儀器供應商之列，還履行了其致力于繼續幫助科研人員推動科學研究與進展的承諾。TESCAN 的定制化系統能滿足各類客戶的具體需求。從材料科學到生命科學，從材料工程到半導體行業，TESCAN 的設備一直都表現出的高性能。

XEIA3掃描電鏡

突出特點

Triglav™ -新型超高分辨率 ( UHR ) 電子光學鏡筒

• TriLens™物鏡系統：電子束無交叉模式與超高分辨率物鏡相結合
• 具有多個 SE 及 BSE 探測器的探測系統
  • TriSE™+ TriBE™
• Triglav™ - 低加速電壓下的超高分辨率:1 nm (1 kV ), 0.7 nm (15 kV )
• EquiPower™ 進一步提高電子束的穩定性
• 電子束流高達 400nA，并能實現電子束能量的快速改變
• 優化的鏡筒幾何設計大可容納 8” 晶圓

極其強大的 Xe 等離子源 FIB 鏡筒

高電子回旋共振（High-ECR）產生的 Xe 等離子源 FIB 鏡筒，可完成 Ga 離子源 FIB 在納米工程領域不能完成的任務

• 濺射速率比 Ga 液態金屬離子源快 50 倍
• 離子束流范圍：1 pA ~ 2 µA；分辨率：＜25 nm
• 新研發的高分辨率 Xe 等離子體 FIB 鏡筒（選配），分辨率優于< 15 nm，進一步增強刻蝕能力
• 大重量的 Xe 等離子具備更大的 FIB 電流范圍，在無氣體輔助增強的條件下也可實現超快濺射
• 相較于 Ga 液態金屬離子源，離子注入效應顯著減少
• Xe 惰性氣體原子不會改變圖樣區域附近的電學性能
• 銑削過程中無金屬間化合物形成