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熱激光激發顯微鏡采用Thermal Laser Stimulation - TLS技術,配備高清光學顯微鏡和高功率激光器,高精度聚焦定位集成電路板元器件進行失效分析。
熱激光激發顯微鏡TLS的激光束可局部加熱元器件,讀取晶體管電流消耗數據，評估電子元器件失效與否。
熱激光激發顯微鏡TLS還可以集成激光故障注入系統，實現激光斑點1um 到13um聚焦。
熱激光激發顯微鏡TLS采用單模激光器,脈寬可從1ns到連續波模式可調，重復頻率從單發射到250MHZ可調，峰值功率高達1.2W,可穿透各種集成電路板和硅片。
熱激光激發顯微鏡TLS特色

可增配激光故障注入功能模塊

激光斑點1um~13um

峰值功率高達1.2W

配備高精度XYZ定位臺

高分辨率紅外視圖

熱激光激發顯微鏡TLS規格參數

激光器部分參數

激光波長：1310nm 或1420nm

連續激光功率：300mW

峰值激光功率：1.2W

脈寬：3ns 到連續波

重復頻率：單發射到連續波

激光斑點：1um~13um

控制命令接口：TTL/LVTTL

視圖觀察部分

視圖：高分辨率紅外相機，IR照明系統

定位臺部分

軸數：XYZ三軸

行程：52mm

分辨率：0.315um

重復精度：+/-0.8um

最大速度：20mm/s