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納米干涉形貌儀nanoprofilometer是采用微納干涉顯微鏡部分相干光的干涉技術制造的納米輪廓儀和納米形貌儀,可定量測量微米尺度和納米尺度表面形貌輪廓,并且幾秒鐘能夠采集2百萬數據點。
納米干涉形貌儀采用部分相干光干涉技術,具有亞納米精度,比傳統形貌儀*為精密。
納米干涉形貌儀提供了功能強大的非接觸式光學表面形貌測試工具,可測量各種類型表面,包括光滑的,粗糙的,平整的,臺階表面和傾斜表面等。微納表面形貌測試無損,快速并且不需要制樣。
納米干涉形貌儀可提供平整度,粗糙度,波紋度和臺階高度。

圖1：納米干涉形貌儀nanoprofilometer實物圖
納米干涉形貌儀nanoprofilometer主要*點：
Z軸分辨率：~30pm(原子smoth mirror，nanorelief模式）
                    ~0,3um (microrelief模式）
相應快速
具有一定的隔振能力
測量過程自動化程度高
用戶自定義界面
高質量軟件界面良*展示3D測量結果
不同測量形貌可選配不同的顯微鏡種類
具有nanorelief模式和microrelief模式
三坐標定位樣品
軟件具有cross-linking功能,可測量大面積樣品
du特的軟件功能存儲和系統化測量結果

圖2：納米干涉形貌儀應用-Si襯底上Pd膜厚度,100nm膜層高度（Nanorelief模式）

圖3：納米干涉形貌儀應用-Si晶體表面臺階高度,0.314nm高（Nanorelief模式）

圖4：納米干涉形貌儀應用-溝槽測量,101 nm ± 3%（Nanorelief模式）

圖5：納米干涉形貌儀應用-溝槽深度,40 ± 1.2μm （Microrelief模式）

圖6：納米干涉形貌儀應用-衍射器件臺階高度測量,高度3.7μm （Microrelief模式）
納米干涉形貌儀規格配置
光電探測器：1392x1040像素CCD
光源：630nm LED
微物鏡：20X（或者選配10X和5X)
掃描裝置：壓電陶瓷掃描器件
位移臺：Z軸行程50mm, XY行程75x50mm
控制器：包括位移臺控制和整套控制器
軟件：包含
納米干涉形貌儀規格參數
測量面積：0.4mm x 0.3mm (20X物鏡）
像素尺寸：0.3μm(20X物鏡）
橫向分辨率：等于或*于1μm
測量模式：Microrelief模式和Nanorelief模式
高度分辨率：~0.3μm（Microrelief模式）
                     ~30pm (Nanorelief模式,帶有自動smoth mirror下）
高度測量范圍：***高50mm（Microrelief模式）
                         ***高20um (Nanorelief模式,帶有自動smoth mirror下）
測量速度：      ~4μm/s（Microrelief模式）
                        ~20μm/10s (Nanorelief模式,帶有自動smoth mirror下）