目錄:孚光精儀（中國）有限公司>>激光光學類>>電光Q開關>> FP-1150-BBO進口BBO普克爾斯盒,BBO電光調制器
| 價格區間 | 面議 | 應用領域 | 醫療衛生,地礦,電子,航天,電氣 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學元件 |
BBO普克爾盒非常適合高重復頻率或高功率激光應用的BBO電光Q開關和BBO電光調制器,它采用美國fastpulse公司優質BBO晶體,光學質量好，雙折射應力低，消光比高，波前畸變小，在紫外到近紅外波段的光學吸收小，因而透過率高。
BBO普克爾盒特點：
◎ 光譜范圍250-1100nm
高消光比
微弱的壓電反應
高損傷閾值
高平均功率
單晶體/雙晶體配置任選
和BBO電光Q開關在1-50KHz的重復頻率范圍內表現出可以忽略的壓電反應。
,BBO電光Q開關與激光脈沖選通系統匹配良好，非常應用于再生激光放大器的種子注入、選通、斬波和偏振旋轉等應用。的一個優點是它不會帶來明顯的壓電效應。
BBO電光Q開關所用的BBO晶體的有用光學波段是250-2100nm,在350-1100nm波段增透鍍膜后的光學透過率可達98.5％。單塊晶體的典型消光比可達1000：1@633nm（>30db）,單次波前畸變<1/8波長@633nm,在較寬的溫度范圍內表現出優異的熱穩定性。BBO晶體表現出輕微的吸濕性，因此必須對其密閉使用，當然，在干燥，潔凈的空間內，您可以大膽地去使用。
BBO電光Q開關的激光損傷閾值與RTP相當，大約為850MW/cm2 @10ns, 1064nm.對于激光脈沖的拾取/脈沖選通應用而言，當脈寬小于100皮秒時，損傷閾值大約為10GW/cm2.
BBO普克爾盒規格參數
型號 | BBO1150-3 | BBO1150-4 | BBO1150-5 | BBO1150-6 |
孔徑/直徑, mm | 3 | 4 | 5 | 6 |
半波延遲電壓,KV @633nm @800nm @1064nm | 3.4 4.3 5.8 | 4.6 5.8 7.7 | 5.7 7.2 9.6 | 6.9 8.7 11.5 |
晶體材料 | BBO | |||
透過率 | >98％ 400-1064nm | |||
消光比(全孔徑) | >1000:1@633nm | |||
上升時間, 皮秒 | <350 | |||
電容，pf | 6 | |||
峰值損傷閾值 | 850MW/cm2<10ns, 10GW/cm2.<100ps @350-1100nm | |||
BBO電光Q開關是美國fastpulse公司制造1150 BBO電光調制器,先后為北京大學,中科院上海光機所,中國工程物理研究院,航天3院,哈工大,南開,山東大學等單位提供優質和BBO電光Q開關.
普克爾盒調節架
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