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GeP 磷化鍺晶體

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  • 型號 2D Semiconductor
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 上海市

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更新時間:2024-06-04 12:15:11瀏覽次數:1618

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產品簡介

供貨周期 一周    
GeP has highly anisotropic dispersions of band structures, with a layer-dependent indirect band gap from (theoretically predicted) 1.68 eV of monolayer to 0.51 eV of bulk.

詳細介紹

GeP has highly anisotropic dispersions of band structures, with a layer-dependent indirect band gap from  (theoretically predicted) 1.68 eV of monolayer to 0.51 eV of bulk. GeP is an anisotropic semiconductor much similar to GaTe monoclinic structure. Our single crystal GeP (Germanium phosphide) crystals come with guaranteed optical, electronic, and structural anisotropy. They are developed at our facilities using state-of-art flux zone techniques. Each growth takes close to three months to provide you perfected crystals that does not contain any halides. Each crystal is highly crystalline, oriented in 0001 direction, and easy to exfoliate. Our R&D staff takes characterization dataset in each sample piece to ensure structural, optical, and electronic consistency. Please also see our GeS, GeSe, GeTe, GeAs, GeP, and Ge-based solutions.

Characteristics of vdW GeP crystals

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