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碲化砷 As2Te3 (Arsenicum Telluride)

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更新時間:2025-05-08 07:28:00瀏覽次數:1532

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產品簡介

供貨周期 一周    
晶體尺寸:10毫米
電學性能:半導體,拓撲絕緣體,熱電材料
晶體結構:單斜晶結構
晶胞參數:a = 1.430nm,B = 0.403nm,C = 0.986nm,α=γ= 90°,β= 95.40
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
表征方法:XRD、拉曼、EDX

詳細介紹

晶體尺寸:10毫米
電學性能:半導體,拓撲絕緣體,熱電材料
晶體結構:單斜晶結構
晶胞參數:a = 1.430nm,B = 0.403nm,C = 0.986nm,α=γ= 90°,β= 95.40
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
表征方法:XRD、拉曼、EDX
 

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal As2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal As2Te3 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

 

Raman spectrum of a single crystal As2Te3. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

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