FPSEM-STE35 三腔室分子束外延MBE系統
參考價 | ¥950000-¥1750000/件 |
- 公司名稱 孚光精儀(中國)有限公司
- 品牌孚光精儀
- 型號FPSEM-STE35
- 所在地上海市
- 廠商性質經銷商
- 更新時間2024/12/16 9:25:41
- 訪問次數 1202
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生長溫度 | 900度 |
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三腔室分子束外延系統是帶有三個MBE分子束外延生長腔室的異質結材料MBE生長設備,可用于在高達∅100mm的襯底上以及三個2英寸以上襯底上一次精確生長外延層,獲得很好的厚度和均勻性能。
三腔室分子束外延系統使用PA-МВЕ和NH3-MBE特殊型號的MBE生長設備,可生長InAlGaAsSb或InGaAlN外延異質結構。
在使用其他制造商的擴散池時,由于改變了“源到襯底”的距離(晶圓和加熱器同時進行*的垂直移動),因此可以進行額外的均勻性優化。
三腔室分子束外延系統是一個三室超高壓系統,包括單獨泵送的生長室、用于預生長準備的緩沖/放氣室和負載鎖定室。所有腔室通過真空門和普通的半自動基板轉移系統連接。生長過程由基于原有軟件的自動化系統控制。它允許控制過程手動或在自動模式下使用編程配方。
三腔室分子束外延系統基本配置:
•具有垂直生長幾何結構的生長室,通過離子/低溫泵(用于常規III Vs)或TMP/C Ryopump(用于III氮化物)和鈦升華泵進行泵送
•10×63CF孔,用于帶百葉窗的滲出池,1個中心63CF孔和最多3×40CF無百葉窗的外部孔,用于V組材料閥門裂解器或氣源;紅外高溫計或激光干涉測量孔
•通過生長室上的幾個視口可以看到所有滲出細胞孔
•單個液氮冷凍板,有效包圍生長體積(NH3-MBE生長操縱器的附加冷凍板)
•基于PBN/PG/PBN的生長機械手加熱元件,具有高均勻性和快速上下動態
•一套分子源,包括5個滲出細胞和V組的源(帶閥裂解器、氮等離子體源或氨注入器)
•最高基板溫度-不低于900°С(NH3-MBE不低于1200°С)
•現場監測工具:RHEED、紅外高溫計、RGA和激光干涉儀(用于III氮化物生長)
•準備室,帶有用于基板支架(7個)和晶片脫氣臺的存儲盒,原子氫源專用端口
•帶儲物盒的裝載鎖室,用于基板支架(8個),帶有配備手套箱的快速檢修門
•一套基板支架
•適當的超高壓儀表
•烘烤系統(高達200°C),無熱點形成
•控制電子設備
•基于原始軟件的過程控制系統
三腔室分子束外延系統主要優勢:
•“實驗室到工廠”的概念,允許開展從基礎研究到異質結構試生產的活動
•鋁(冷唇)專用滲出細胞,操作穩定,鎵(熱唇)提供低橢圓形缺陷密度
•在系統基本配置中對生長過程進行現場監測的所有必要工具
•特別設計的生長操縱器,提供高溫均勻性和加熱/冷卻速率動態
•安裝期間的有效技術支持,包括基本工藝轉移
•簡單的系統操作和定期的技術維護
三腔室分子束外延系統參數:
烘烤后生長室的最終真空度,Torr | <5×10-11 |
最大基板直徑,mm | 100或3×2″block |
100mm晶圓的厚度和復合不均勻度,% | ±1 |
“源到基片”距離,mm | 135÷210 |
滲出細胞百葉窗設計 | 基于磁耦合旋轉運動的無沖擊驅動旋轉機構 |
百葉窗葉片材料 | 鉭、鉬或PBN(可選) |
生長機械手加熱元件的設計 | PBN/PG/PBN |
生長操縱器的最高工藝溫度,不低于,℃ | 900 (NH3-MBE為1200) |
準備室中基板脫氣溫度,不低于,℃ | 650 (III氮化物為1100) |
生長室烘烤溫度,不低于,℃ | 200 |
離子泵容量,不小于,l/s: –生長室(III-N的TMP) –準備室 –負載鎖定 | 800 (2000) 500 300 |