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接觸角的含義2025/03/31: 接觸角的含義什么是接觸角？接觸角為我們提供了液體在表面上鋪展的好壞的指標(biāo)。在配制油墨時(shí)，接觸角提供了一個(gè)有用的指標(biāo)，表明油墨的改性將如何影響其鋪展。接觸角可大可小，取決于被研究材料的物理性質(zhì)。下圖顯示了表面上的三種不同的水滴。最左邊的液滴具有大的接觸角，因?yàn)樗粫?huì)在固體表面上擴(kuò)散。最右邊的液滴具有低接觸角，因?yàn)樗鼣U(kuò)散得很好。這種擴(kuò)散被稱為“潤濕”，當(dāng)液滴沉積在表面上時(shí)，或者“潤濕”或者“去潤濕”。下圖顯示了固體表面上液滴的2D截面。定位液滴輪廓與固體表面相交的點(diǎn)。液滴輪廓和固體表面之間的角度是接

HARRICK等離子清洗機(jī)賦能止血新材料，登上Nature子刊的氣凝膠2025/03/28: 實(shí)驗(yàn)?zāi)康拈_發(fā)新型止血材料：制備一種雙組分納米和微纖維氣凝膠（NMA），結(jié)合聚乳酸（PLA）納米纖維和聚己內(nèi)酯（PCL）微纖維，通過優(yōu)化其機(jī)械性能和孔隙結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)對(duì)深部交界性出血的高效控制。性能驗(yàn)證：通過體外和體內(nèi)實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證NMA的快速形狀恢復(fù)能力、高血液吸收率、凝血效率及機(jī)械穩(wěn)定性，并與市售產(chǎn)品（XStat®和QuikClot®CombatGauze）進(jìn)行對(duì)比。動(dòng)物模型驗(yàn)證：在豬的致死性交界性出血模型中評(píng)估NMA的即時(shí)止血效果、生存率及無再出血特性。實(shí)驗(yàn)步驟1.氣凝膠制備納米纖維（PLA）制備：

Ossila狹縫涂布機(jī)＆紫外臭氧清洗機(jī)助力科研-無鉛錫鈣鈦礦太陽能電池2025/03/28: 一、為何選擇錫替代鉛？傳統(tǒng)鉛基鈣鈦礦（如（fapbi?）的效率已突破30％，但其毒性問題引發(fā)環(huán)境擔(dān)憂。錫與鉛同屬iv族元素，電子特性相似，且毒性更低。此外，錫鈣鈦礦的理論極限效率（，33％）（）甚至略高于鉛基材料。然而，錫的超快結(jié)晶特性導(dǎo)致薄膜易出現(xiàn)孔洞、晶粒不均等問題二、實(shí)驗(yàn)方法：氮?dú)饷}沖+添加劑「雙管齊下」關(guān)鍵策略****-調(diào)控」結(jié)晶法**：：觸發(fā)：用氮?dú)饷}沖瞬間加速溶劑蒸發(fā)，誘導(dǎo)成核。，誘導(dǎo)成核。調(diào)控：通過添加劑（如masncl?），改變?nèi)芤夯瘜W(xué)環(huán)境，延緩晶核生長速度，形成致密大晶粒。，形

太陽能電池特性分析與測(cè)試的幾種方法（一）2025/03/14: 太陽能電池特性分析與測(cè)試的幾種方法（一）太陽光模擬器用于測(cè)量太陽能電池的效率。為了表征太陽能電池在現(xiàn)實(shí)世界中的表現(xiàn)，使用有效模擬太陽光譜的太陽光源至關(guān)重要。當(dāng)然，你可以使用真正的陽光，但是這會(huì)引入一些不可控的變量。為了可靠地測(cè)試太陽能電池，你需要在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)保持受控的條件。此外，許多太陽能電池的材料在早期的開發(fā)階段不能經(jīng)受氣候影響。由于這些原因，當(dāng)在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中測(cè)試太陽能電池時(shí)，你應(yīng)該使用太陽光模擬器來重現(xiàn)太陽的輻照度。為了表征太陽能電池，太陽光模擬器需要滿足關(guān)于時(shí)間穩(wěn)定性、光譜匹配性和均勻性的特

選擇光學(xué)光譜儀時(shí)需要考慮哪些因素呢？2025/03/13: 1.波長范圍：選購時(shí)首要考慮因素，由分析樣品和觀察的屬性或躍遷決定。光學(xué)光譜可測(cè)量可見光及附近波長，范圍約190nm-1100nm，能觀察共軛有機(jī)分子的特定能量躍遷。此外，紅外和近紅外光譜用于研究振動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)躍遷。2.光源：不同光學(xué)測(cè)量需要不同光源，如吸光度光譜或漫反射測(cè)量需寬波長范圍光源；發(fā)射光譜則需要特定波長的高能量激發(fā)源，部分樣品（如電致發(fā)光測(cè)量）需要非輻射激發(fā)電源?？蛇x擇光譜套件配備寬帶白光源和紫外光源。3.分辨率和靈敏度：分辨率決定光譜峰可分辨的最小間距，靈敏度指光譜儀檢測(cè)光的效率，二者

太陽光模擬器出現(xiàn)光強(qiáng)不穩(wěn)定、光譜不穩(wěn)定時(shí)，如何排查故障？2025/03/07: 太陽光模擬器出現(xiàn)光強(qiáng)不穩(wěn)定、光譜不穩(wěn)定時(shí)，如何排查故障？太陽光模擬器光強(qiáng)不穩(wěn)定、光譜不穩(wěn)定，這兩個(gè)問題是太陽光模擬器常見的故障，可能的原因有，光源使用的有效期到了、光源燈絲損壞、光學(xué)元件污染、濾光片老化、電子控制系統(tǒng)故障等。當(dāng)出現(xiàn)光強(qiáng)不穩(wěn)定或者光譜不穩(wěn)定的情況時(shí)，可以采取以下三種方式排查故障并解決問題：（1）光源使用壽命，氙燈光源的使用壽命一般在1000個(gè)小時(shí)以上，我們可以根據(jù)使用頻率大致合計(jì)下累計(jì)使用的時(shí)間，如果光源壽命到期，則需要更換光源。（2）檢查光源燈絲。如果光源燈絲損壞，我們就可以進(jìn)行

基于多層二硒化鎢的高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管的實(shí)驗(yàn)優(yōu)化和理論模擬2025/02/11: 隨著半導(dǎo)體集成工藝進(jìn)入3nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)，傳統(tǒng)硅基晶體管出現(xiàn)漏電功耗增大，短溝道效應(yīng)加劇等問題，對(duì)集成電路的性能與可靠制造產(chǎn)生嚴(yán)重的影響［1~3］.近年來，以過渡金屬硫族化合物（TMDCs）為代表的二維納米材料因具有原子級(jí)物理厚度，優(yōu)異的機(jī)械柔韌性和較高的載流子遷移率［4~6］，成為未來可替代傳統(tǒng)硅基材料以延續(xù)摩爾定律發(fā)展的重要候選新材料之一［7~10］.作為二維（2D）TMDCs的代表性材料，WSe2是繼WS2和MoS2之后備受關(guān)注的一種二維原子晶體，具有很高的導(dǎo)通電流密度和載流子遷移率［1

聚合物包覆改善二維鈣鈦礦(FPEA)2PbI4 光學(xué)性能2025/02/11: 聚合物包覆改善二維鈣鈦礦(FPEA)2PbI4光學(xué)性能摘要：環(huán)境因素（如光照、水蒸氣、氧氣等）會(huì)引發(fā)二維鈣鈦礦材料的降解，其穩(wěn)定性極大地限制該材料的進(jìn)一步發(fā)展及市場(chǎng)化進(jìn)程。利用氟化物的強(qiáng)穩(wěn)定性與疏水性，將其以含氟苯y(tǒng)i胺的形式引入二維鈣鈦礦的有機(jī)層，可以有效地改善二維鈣鈦礦穩(wěn)定性，但是熒光效率有所降低。針對(duì)這一問題，本文采用聚苯乙烯（PS）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、環(huán)烯烴聚合體（COP）三種高分子聚合物對(duì)二維鈣鈦礦薄膜進(jìn)行包覆，使其熒光強(qiáng)度分別得到2.2、1.3和1.4倍的改善，光照穩(wěn)定性

二氧化硅材料的表面潤濕性改性研究2025/02/11: 文章內(nèi)容：1.二氧化硅材料的重要性與挑戰(zhàn)二氧化硅（SiO?）是地殼中含量極豐富的礦物之一，廣泛存在于玻璃、陶瓷、微電子器件和建筑材料中。其化學(xué)穩(wěn)定性高、耐高溫、環(huán)境友好等特點(diǎn)使其成為工業(yè)和科研領(lǐng)域的“明星材料”。然而，二氧化硅表面富含羥基（-OH），導(dǎo)致其親水性強(qiáng)，容易吸附水分子，這限制了其在需要疏水性能的場(chǎng)景（如防水涂層、自清潔材料）中的應(yīng)用。此外，納米二氧化硅顆粒因表面能高，易團(tuán)聚，影響其在復(fù)合材料中的分散性。2.表面潤濕性改性的核心思路要解決二氧化硅的親水性問題，關(guān)鍵在于表面化學(xué)改性——通

Kevlar纖維UD片材復(fù)合材料的防dan性能：優(yōu)化設(shè)計(jì)與機(jī)制解析2025/02/11: 文章基本信息標(biāo)題：Kevlar纖維UD片材復(fù)合材料的防dan性能作者：閆衛(wèi)星、郭艷文、徐行浩、黃曉梅、曹海建期刊：《復(fù)合材料學(xué)報(bào)》2025年第42卷第1期研究背景與意義隨著國際局勢(shì)緊張，防dan材料需求激增，輕量化、高防護(hù)性能成為核心需求。Kevlar纖維因其高強(qiáng)度、高模量、耐高溫等特性，成為防dan領(lǐng)域的理想材料。然而，其表面光滑、與樹脂基體結(jié)合性差的問題限制了應(yīng)用。本文通過優(yōu)化樹脂配比、工藝參數(shù)及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，探索該Kevlar纖維UD片材復(fù)合材料的防dan性能提升方案。實(shí)驗(yàn)方法與關(guān)鍵材料材料K

竹材也能做結(jié)構(gòu)材料？組坯結(jié)構(gòu)如何影響竹束層壓板的性能？2025/02/11: 文章基本信息標(biāo)題：組坯結(jié)構(gòu)對(duì)竹束單板層壓板物理力學(xué)性能的影響作者：張文福、王戈等（國際竹藤網(wǎng)絡(luò)中心、黑龍江省林產(chǎn)工業(yè)研究所）期刊：《中南林業(yè)科技大學(xué)學(xué)報(bào)》2012年02期關(guān)鍵詞：竹束單板、層壓板、力學(xué)性能、耐水性能、連接性能研究背景與意義竹子作為可再生資源，具有生長快、強(qiáng)度高的特點(diǎn)。竹束單板層壓板是一種新型工程材料，通過將竹材加工成松散纖維束，再熱壓成型，可替代傳統(tǒng)木材或金屬用于建筑、家具等領(lǐng)域。然而，傳統(tǒng)順紋層壓板雖然縱向強(qiáng)度高，但橫向連接性能差（如螺栓連接易劈裂），限制了其應(yīng)用。本文通過改變

引線鍵合工藝中會(huì)遇到哪些問題呢？2025/01/09: 引線鍵合是芯片和外部封裝體之間互連最常見和有效的連接工藝。我們來講講鍵合工藝中會(huì)遇到的問題：一．鍵合工藝差錯(cuò)造成的失效1.焊盤出坑出坑通常出現(xiàn)于超聲波鍵合中,是指對(duì)焊盤金屬化層下面半導(dǎo)體材料層的損傷。這種損傷有時(shí)是肉眼可見的凹痕,更多是不可見的材料結(jié)構(gòu)損傷。這種損傷將降低器件性能并引發(fā)電損傷。其產(chǎn)生原因如下:(1)超聲波能量過高導(dǎo)致Si晶格層錯(cuò);(2)楔鍵合時(shí)鍵合力過高或過低:(3)鍵合工具對(duì)基板的沖擊速度過大,一般不會(huì)導(dǎo)致Si器件出坑,但會(huì)導(dǎo)致(3)GaAs器件出坑;(4)球鍵合時(shí)焊球太小致使

如何使用四探針法計(jì)算薄層電阻2025/01/08: 使用四探針法計(jì)算薄層電阻的原理薄層電阻(也稱為表面電阻或表面電阻率)是一種常見的電學(xué)性質(zhì)，用于表征導(dǎo)體和半導(dǎo)體材料薄膜。它是通過薄正方形材料的橫向電阻的量度，即正方形對(duì)邊之間的電阻。與其他電阻測(cè)量相比，薄層電阻的主要優(yōu)勢(shì)在于它與正方形的大小無關(guān)，因此可以輕松比較不同的樣品。這一特性可以很容易地用四點(diǎn)探針并且在高效鈣鈦礦光伏器件的制造中是至關(guān)重要的，其中需要低薄層電阻材料來提取電荷。薄層電阻的應(yīng)用薄層電阻是任何薄膜材料的一個(gè)重要特性，電荷將在薄膜中傳播(而不是通過)。例如，薄膜器件(如鈣鈦礦太陽能

太陽能電池特性分析與測(cè)試的幾種方法（二）2025/01/08: 太陽能電池特性分析與測(cè)試的幾種方法（二）3.動(dòng)態(tài)伏安測(cè)量在動(dòng)態(tài)I-V測(cè)量中，測(cè)量各種電壓下的電流響應(yīng)，就像J-V掃描一樣。但是，在這種測(cè)量中，在記錄電流密度之前，需要等待測(cè)量值穩(wěn)定一段時(shí)間。這給出了太陽能電池性能的非常精確的表示。事實(shí)上，一項(xiàng)比較不同實(shí)驗(yàn)室對(duì)太陽能電池測(cè)量的研究認(rèn)為，這是表征鈣鈦礦太陽能電池好的方法。然而，完整的J-V掃描可能需要很長時(shí)間來測(cè)量，尤其是如果太陽能電池表現(xiàn)出動(dòng)態(tài)行為。例如，使用動(dòng)態(tài)I-V測(cè)量來測(cè)量鈣鈦礦太陽能電池的一條J-V曲線需要幾個(gè)小時(shí)。只有在絕對(duì)確定地測(cè)量太陽

如何選擇紫外臭氧清洗機(jī)？2024/12/31: 如何選擇紫外臭氧清洗機(jī)？今天的主角是我們的一款簡易的紫外臭氧清洗機(jī)。來自其他制造商的紫外臭氧清潔機(jī)可以提供一系列附加功能。更多的功能常常會(huì)被誤認(rèn)為是更有效的性能。但是，在您的實(shí)驗(yàn)設(shè)置中評(píng)估附加功能的必要性和適用性總是很重要的。我們這款紫外臭氧清潔機(jī)本著簡單高效的理念構(gòu)建，提供了一個(gè)有效工作的模型，沒有不必要的、復(fù)雜的或令人困惑的特性。1.加熱功能超過150°C，材料的溫度越高，紫外臭氧清洗的反應(yīng)速度越快。因此，提高襯底的溫度可以促進(jìn)更快的清洗速率。為此，一些系統(tǒng)將可加熱的樣品臺(tái)集成到紫外臭氧清洗

MC方案｜氮化硼封裝對(duì)2D半導(dǎo)體層等離子體處理的影響(下篇)2024/12/26: 氮化硼封裝對(duì)2D半導(dǎo)體層等離子體處理的影響（下）結(jié)果和討論在樣品制備、器件制造和后處理過程中，2D材料或異質(zhì)結(jié)構(gòu)可能會(huì)遇到幾種形式的高能輻射源。使用的輻射源包括電子、離子(氬、氦和氙)和光子(激光、紫外線)通量。然而，離子束和紫外光分別是蝕刻和光刻工藝中最CY的。在這里，我們研究了h-BN，MoS2及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)在Ar+離子等離子體下曝光。氬離子等離子體是最CY的，因?yàn)闅逵捎谄涔逃械亩栊圆粫?huì)與樣品形成化學(xué)鍵。氬也是一種足夠重的離子，可以提供足夠的動(dòng)能以在合理的加速電壓下蝕刻樣品。圖1顯示了本研究中

MC方案｜氮化硼封裝對(duì)2D半導(dǎo)體層等離子體處理的影響(上篇)2024/12/26: 二維(2D)過渡金屬二硫族化合物(TMDCs)在光學(xué)、電子學(xué)、催化和能量存儲(chǔ)方面的應(yīng)用是研究的熱點(diǎn)。當(dāng)封裝在沒有電荷無序的環(huán)境中時(shí)，它們的光學(xué)和電子性質(zhì)可以顯著增強(qiáng)。因?yàn)榱降?h-BN)是原子級(jí)薄的、高度結(jié)晶的并且是強(qiáng)絕緣體，所以它是封裝和鈍化TMDCs常用的2D材料之一。在這份報(bào)告中，我們研究了超薄氮化硼如何屏蔽底層金屬氧化物半導(dǎo)體在半導(dǎo)體器件制造和后處理過程中通常使用的高能氬等離子體的TMDCs層。像差校正的掃描透射電子顯微鏡用于分析h-BN和MoS2中的缺陷形成這些觀察結(jié)果與拉曼光譜

MC應(yīng)用｜如何利用等離子技術(shù)優(yōu)化石墨烯轉(zhuǎn)移方法？2024/12/26: 石墨烯通常通過化學(xué)氣相沉積（CVD）在生長基底上沉積，然后轉(zhuǎn)移到適合其特定應(yīng)用的目標(biāo)基底上。等離子體處理可用于支持和促進(jìn)各種石墨烯轉(zhuǎn)移方法。介紹石墨烯是一種具有六方晶體結(jié)構(gòu)的單原子碳層，由于其許多DT的材料特性，在過去幾十年中受到了廣泛的研究。憑借其高導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性、近乎光學(xué)的透明度和高機(jī)械強(qiáng)度，石墨烯被認(rèn)為是一種非常通用的二維材料，可用于廣泛的應(yīng)用，包括能源儲(chǔ)存、光學(xué)顯示和傳感器[1-3]。生產(chǎn)石墨烯的常見方法是CVD，使用碳?xì)浠衔餁怏w或含碳前體與催化襯底（如銅銅箔）結(jié)合使用，以分解前體并將

MC應(yīng)用｜基于等離子體處理工藝提升氧化鋅薄膜晶體管和傳感器的電性能2024/12/26: 氧化鋅（ZnO）是一種令人興奮的可替代寬帶隙半導(dǎo)體，在傳感器和柔性電子器件中具有廣闊的應(yīng)用前景。等離子體處理可用于為氧化鋅沉積準(zhǔn)備表面，通過去除有機(jī)雜質(zhì)和表面改性改善電性能，并促進(jìn)氧化鋅器件的制造。介紹氧化鋅是一種寬帶隙半導(dǎo)體，具有與氮化鎵（GaNIII-V）半導(dǎo)體相似的電氣和物理特性。由于鋅含量相對(duì)豐富且能夠在低溫下沉積氧化鋅，因此氧化鋅作為氮化鎵的低成本替代品更具有吸引力，可用于發(fā)光二極管(LED)、光電子學(xué)和柔性電子學(xué)。此外，氧化鋅在可見光譜中是光學(xué)透明的，通過適當(dāng)?shù)膿诫s，氧化鋅可以被調(diào)整

MC應(yīng)用｜等離子表面處理中的工藝氣體如何選擇？2024/12/26: 等離子清洗機(jī)常用的工藝氣體有氧氣、氬氣、氮?dú)?、壓縮空氣、二氧化碳、氫氣、四氟化碳等。它是將氣體電離產(chǎn)生等離子體對(duì)工件進(jìn)行表面處理,無論是進(jìn)行清洗還是表面活化,為達(dá)到Z佳的處理效果會(huì)選用不同的工藝氣體,那么等離子清洗機(jī)的常用工藝氣體又該如何選擇呢?01氧氣氧氣是等離子清洗常用的活性氣體,屬于物理+化學(xué)的處理方式,電離后產(chǎn)生的離子體能夠?qū)Ρ砻孢M(jìn)行物理轟擊,形成粗糙表面。同時(shí)高活性的氧離子能夠與被斷鍵后的分子鏈發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成活性基團(tuán)的親水表面,達(dá)到表面活化的目的;被斷鍵后的有機(jī)污染物的元素會(huì)與高活性

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