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2D Semiconductors:探索微觀世界的力量

來源:上海起發實驗試劑有限公司   2025年04月15日 14:59  

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2Dsemiconductors公司,旨在重塑材料科學與工程的整體格局。公司由一群在學術研究、制造、技術、工藝工程及界面設計工程領域擁有多元背景的遠見者共同創立,致力于重新定義量子材料、新興半導體及下一代材料系統的可能性。

2Dsemiconductors致力于彌合學術界與工業界之間的知識與經驗鴻溝,挑戰傳統范式,推動材料科學與工程的革新。我們的使命是承擔行業伙伴不敢涉足的風險,通過創新材料系統突破科學與工程發現的邊界。

2Dsemiconductors始終以研發為核心,累計發布了200余種突破性層狀研發級晶體,以行業推動技術進步。這些創新不僅彰顯了技術實力,更鞏固了我們在電子、物理、化學、生物學及跨學科科學領域拓展邊界的地位。通過化學氣相傳輸、布里奇曼生長法、熔劑生長法、原子層沉積、分子束外延、化學氣相沉積、液相合成、高壓合成等技術,我們持續探索并應用多元化工藝,打造材料系統。


核心優勢

1.技術:液相剝離技術實現99.9%純度單層薄膜量產,層數控制精度達±1?;

2.規?;a能力:月產能突破萬平方米,覆蓋從研發樣品到工業級批量的全鏈條需求;

3.材料多樣性:提供20余種二維半導體材料庫,適配光電器件、傳感器、柔性電子等多元場景;

4.質量管控體系:通過ISO 9001/14001雙認證,材料性能通過IMEC、AIST等國際機構驗證;

5.可持續發展:采用無污染制備工藝,碳排放較傳統半導體材料降低80%。


主要產品、技術介紹:

1.2'' wafer CVD Monolayers or Few-layers (Select material)

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2英寸c向切割藍寶石襯底上的全覆蓋單層MoS?、MoSe?、WS?、WSe?(少層樣品可定制)。所有CVD生長的過渡金屬硫族化合物(TMDs)均表現出高發光特性,拉曼光譜研究進一步證實了單層厚度。

采用化學氣相沉積(CVD)技術合成這些單層材料,在半導體級潔凈室中使用6N級(99.9999%)高純度氣體和前驅體,制備出結晶度高、晶粒尺寸達1-50微米的大面積樣品。與常規金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)工藝不同(后者通常存在大范圍缺陷且晶粒尺寸僅10納米至500納米),本工藝生長的樣品始終保持高結晶度、高發光性,且無碳污染層殘留。


2.As2S3 Crystal

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硫化砷(As?S?)具有2:3化學計量比。經過3年累計250次生長試驗后,實現了化學計量比、大晶疇尺寸(十萬分之一的晶胞缺陷密度)以及超高純度(99.9998%)。塊體形態下,砷硫化物(As?S?)是直接帶隙半導體,帶隙約2.5 eV。與二硫化鉬類似,其具有層狀(片層)結構,層間耦合較弱,可實現單層剝離。單層厚度約為0.8 nm,理論預言的單層As?S?仍待實驗與理論突破。本產品晶體尺寸可達約8毫米,展現出優異的光致發光特性。采用先進生長技術培育8周,晶體結晶度優異,拉曼光譜顯示特征峰半高寬小于6 cm?1。As?S?晶體易于機械剝離,是二維材料研究的理想選擇。


3.2D Heterojunctions

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已開發出可擴展的方法,將二維CVD生長片層背對背轉移以構建二維垂直異質結。盡管二維半導體研發團隊采用無化學轉移工藝,但預計在轉移過程中仍可能因應變、基板和缺陷等因素導致二維層物理性質發生變化。由于生產流程具有高度定制化特性,所有轉移類CVD產品一經售出概不退款。

該產品展示了我們在多種基板和異質結排布方面的技術能力。定價主要取決于基板類型、CVD單層材料以及與您的應用場景和樣品規格相關的其他技術挑戰。我們的研發團隊致力于以經濟實惠的方式為您打造定制化CVD產品。


目標客戶群體

高校與科研院所:提供高純度基礎材料支持基礎研究;

半導體晶圓廠:兼容主流CMOS工藝的二維材料代工服務;

新能源企業:鈣鈦礦太陽能電池界面修飾材料定制;

消費電子品牌:折疊屏手機鉸鏈鉸支撐材料及柔性電路基板。


常見問題與解答

Q1:二維半導體材料與傳統硅基材料相比有何優勢?

A:二維材料具備原子級厚度、超高載流子遷移率和機械柔韌性,可突破摩爾定律極限,適用于更高集成度的柔性/異構芯片設計。

Q2:材料穩定性如何保障?

A:通過表面鈍化處理與封裝技術,產品在空氣環境中可穩定保存12個月以上,特殊型號可達24個月。

Q3:是否支持小批量定制化生產?

A:是的,最小起訂量為1cm×1cm標準尺寸,交貨周期為4-6周。

Q4:是否有成功商業化案例?

A:已與OLED面板廠商合作開發透明導電薄膜,良率達95%以上。

Q5:環保合規性如何?

A:生產過程符合RoHS標準,廢水回收利用率達98%,獲LEED鉑金級綠色工廠認證。


熱銷產品

貨號

品名

規格

品牌

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Fe3GaTe2 Crystal

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SOL-PTAS

PTAS (liquid)

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PTAS (solid)

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MoS2 - Synthetic Crystal

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TiS2 Crystal

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BLK-HfS2-FLX

HfS2 Crystal Flux zone growth

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BLK-NbOCl2

NbOCl2 Crystal

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BLK-Ta3FeS6

Ta3FeS6 Crystal

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BLK-Cr2Te3

Cr2Te3 Crystal

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CrTe2 Crystal

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BLK-Fe4GeTe2

Fe4GeTe2 Crystal

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WSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

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CVD-WS2-ML-SP

WS2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

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CVD-SnSe2-ML-SP

SnSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

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MBE-MoSe2

MoSe2 - MBE on c-cut Sapphire

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CVD-MoSe2-ML-SP

MoSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

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MBE-MoS2

MoS2 - MBE on c-cut Sapphire

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CVD-MoS2-ML-SP

MoS2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

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BSCCO Crystal

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YBCO Crystal,Up to 1 cm size

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WSe2 Crystal

p-Type

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GaPS4 Crystal

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Black Arsenic

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ZrSe2 - Zirconium Diselenide Crystal

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Zirconium Disulfide (ZrS2)

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ZrTe2 Crystal

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Full Area Coverage Monolayer MoS2 on Si02/Si

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WS2 on SiO2/Si

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