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近紅外顯微鏡在VCSEL氧化孔徑測量中的技術(shù)與應(yīng)以卡斯圖MIR100為例用

來源:蘇州卡斯圖電子有限公司   2025年04月08日 16:58  

1. 引言

垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)的氧化孔徑(Oxidation Aperture)是其關(guān)鍵結(jié)構(gòu)之一,直接影響器件的電流限制、光學(xué)模式及熱穩(wěn)定性。準確測量氧化孔徑尺寸(通常3-30μm)對VCSEL的研發(fā)與量產(chǎn)很重要。然而,由于氧化層位于多層外延結(jié)構(gòu)內(nèi)部,傳統(tǒng)光學(xué)顯微鏡難以穿透,而SEM等破壞性方法無法用于在線檢測。 

近紅外顯微鏡(NIR Microscopy) 憑借其對半導(dǎo)體材料的穿透能力,成為VCSEL氧化孔徑測量的理想工具。本文將深入探討其測試原理、系統(tǒng)組成(紅外相機、紅外物鏡、自動分析軟件),并結(jié)合蘇州卡斯圖電子有限公司的MIR100近紅外顯微鏡,分析該技術(shù)的優(yōu)勢、挑戰(zhàn)及解決方案。 

vcsel01.jpg





2. 近紅外顯微鏡測量VCSEL氧化孔徑的原理

2.1 光學(xué)穿透機制

VCSEL通常基于GaAs/AlGaAs材料體系,其氧化層(AlO?)位于多層DBR(分布式布拉格反射鏡)之間。近紅外光(700-2500nm)在該波段具有以下特性:

- GaAs在>1100nm波長下吸收率降低,允許光穿透數(shù)微米深度。

- AlO?與AlGaAs的折射率差異(Δn≈0.2-0.5),在近紅外波段形成高對比度反射信號。

紅外相機(如InGaAs傳感器)捕捉反射圖像,并通過算法提取氧化孔徑邊緣。 

 

 2.2 測量系統(tǒng)組成

近紅外顯微鏡測量VCSEL氧化孔徑的關(guān)鍵組件包括:

1. 紅外光源(1300-1550nm激光或LED) 

2. 紅外物鏡(長工作距離、高NA值,如20X NA=0.4) 

3. 紅外相機(InGaAs或Ge基傳感器,分辨率1-5μm/pixel) 

4. 自動測量分析軟件(邊緣檢測、閾值分割、尺寸計算) 

 

以蘇州卡斯圖MIR100近紅外顯微鏡為例:

紅外物鏡:采用高NA紅外優(yōu)化物鏡,確保高分辨率和穿透深度。 

紅外相機:配備高靈敏度InGaAs相機,信噪比(SNR)>60dB。 

軟件分析:集成自動孔徑測量算法,支持批量檢測和SPC統(tǒng)計。 

 

 3. 近紅外顯微鏡測量解決方案

 3.1 標準測量流程

1. 樣品放置:VCSEL芯片無需制樣,直接置于載物臺。 

2. 光學(xué)對焦:通過紅外相機實時成像,調(diào)整Z軸到氧化層清晰可見。 

3. 圖像采集:多波長掃描(如1300nm/1550nm)優(yōu)化對比度。 

4. 圖像處理: 

   - 平場校正(消除光照不均) 

   - 邊緣增強(Sobel/Canny算子) 

   - 閾值分割(區(qū)分氧化/非氧化區(qū)域) 

5. 孔徑計算:采用最小二乘橢圓擬合,輸出直徑、圓度等參數(shù)。 

 

 3.2 卡斯圖MIR100的優(yōu)化方案

共焦成像技術(shù):減少多層反射干擾,提升信噪比。 

自動對焦算法:基于圖像清晰度評價函數(shù),確保測量一致性。 

批量測量模式:支持晶圓級Mapping檢測,每小時可測>1000顆芯片。 

 

 4. 技術(shù)優(yōu)勢與局限性

 4.1 優(yōu)勢(對比SEM、可見光顯微鏡)

對比維度

近紅外顯微鏡(MIR100)

SEM

可見光顯微鏡

測量方式

非破壞性

破壞性(需切割)

無法穿透多層結(jié)構(gòu)

分辨率

0.5-1μm

<10nm

受衍射限制(~0.3μm)

測量速度

秒級(適合在線檢測)

分鐘級(需抽真空)

快,但無法測內(nèi)部結(jié)構(gòu)

設(shè)備成本

中等($80k-$450k)

高($200k-$500k)

低($10k-$50k)

適用場景

量產(chǎn)監(jiān)控、研發(fā)

實驗室失效分析

表面形貌觀察

 

4.2 局限性及解決方案

1. 分辨率限制(~0.5μm) 

   - 解決方案:采用超分辨率算法(如深度學(xué)習(xí)去卷積)。 

2. 多層DBR干擾 

   - 解決方案:多波長融合成像(如MIR100支持1300nm/1550nm雙波段掃描)。 

3. 邊緣模糊(氧化過渡區(qū)) 

   - 解決方案:相位對比成像(增強邊緣信號)。 

 

 5. 實際應(yīng)用案例

 5.1 量產(chǎn)檢測(卡斯圖MIR100在某VCSEL廠商的應(yīng)用)

檢測目標:氧化孔徑尺寸(8±0.5μm) 

測量結(jié)果: 

  - 平均測量值:8.12μm 

  - 標準差:±0.18μm(CPK>1.67) 

效益: 

  - 不良率降低30% 

  - 檢測效率提升5倍(相比SEM) 

 

 5.2 研發(fā)階段應(yīng)用

通過MIR100測量不同氧化工藝的VCSEL,發(fā)現(xiàn):

氧化時間與孔徑尺寸呈線性關(guān)系(R2=0.98),驗證工藝可控性。 

孔徑均勻性(晶圓級Mapping)可優(yōu)化反應(yīng)室氣流設(shè)計。 

 

6. 未來發(fā)展趨勢

1. 更高分辨率:近場光學(xué)(Nano-IR)突破衍射空間。 

2. 智能化分析:AI自動分類缺陷(如氧化不均勻、孔徑變形)。 

3. 多模態(tài)集成:結(jié)合光致發(fā)光(PL)和熱成像,實現(xiàn)全面表征。 

 

 7. 結(jié)論

近紅外顯微鏡(如卡斯圖MIR100)憑借其非破壞性、高精度、效率快的特點,已成為VCSEL氧化孔徑測量的主流方案。相較于SEM和可見光顯微鏡,它在量產(chǎn)監(jiān)控、工藝優(yōu)化方面具有顯著優(yōu)勢。未來,隨著超分辨率技術(shù)和AI算法的引入,該技術(shù)有望進一步提升到納米級檢測水平,滿足下一代VCSEL(如用于LiDAR、光通信)的更高要求。 

 

蘇州卡斯圖電子有限公司的MIR100近紅外顯微鏡,憑借其高靈敏度InGaAs相機、自動分析軟件和穩(wěn)定成像系統(tǒng),為VCSEL制造商提供了可靠的測量解決方案,助力行業(yè)實現(xiàn)更高良率和更優(yōu)性能。





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