PAG 的結構可以對光刻終點產生很大的影響，包括線寬粗糙度 (LWR) 等關鍵性能，雜質的存在也將會影響其性能，因此光酸生成劑雜質鑒定和過程控制很重要。尤其是 PAG 中的陰離子部分，其合成路徑較長，易產生雜質，需要對其進行研究。如圖 2 所示，TPS-Nf 的陰離子的典型雜質（部分 H 未完全被 F 取代）可被 LC-QTOF 結合解譜軟件進行有效解析。同時也可對 PAG 進行深入研究，比如模擬曝光進行 PAG 前后差異性研究、成品中 PAG 的老化監測等，此時也可結合安捷倫多元比對的軟件工具進行目標物挖掘與溯源。

樹脂是光刻膠中的關鍵成分，起到支撐、耐刻蝕等作用，需要多種功能性單體進行配合，也因此造成了其復雜的多元共聚的特性，導致進行完整表征的難度很高，往往需要多種分析手段共同進行。整體分子量的表征至關重要，其分子量 (Mn Mw) 的穩定性、PDI 等代表了樹脂的關鍵信息，一般采用 GPC、MALS 等手段完成。同時，可以發現僅有整體分子量維度上的表征是不夠的。聚合物梯度色譜法可以較好的在極性、單體比例的維度上進行共混物的區分；PYGC-MS（QTOF）可以較好的在單體\端基的維度上進行表征；LC-QTOF 可對易離子化的樹脂進行精細的分子量端的表征。

共聚物多采用自由基工藝，多單體參與，過程復雜，而由于單體競速率不同、工藝等原因，可能會造成共聚物性能不佳的問題。在活性聚合中，因為雙基終止和側鏈副反應的發生，聚合物中會不可避免地出現很多死聚物雜質，這不僅將阻礙合成純凈聚合物，也會對高精度材料產生損害。通過聚合物梯度洗脫色譜法等手段可以進行除整體分子量維度外的表征，但里面的雜峰很難定性，因此需要聯機高分辨質譜進行易電離共聚物的精細分子量表征。采用安捷倫 LC-QTOF 可觀察共聚物易被哪個單體阻斷并造成死聚物，同時也可與 GPC 進行聯機進行更直接的表征。

浸沒式光刻技術所面臨的挑戰主要是解決曝光中產生的氣泡和污染等缺陷。這是因為該技術使用超純水作為液體介質，光刻鏡頭和光刻膠均浸沒在液體介質中，通過提高折射率來有效增強光刻分辨率，但這同時對光刻膠的質量提出了更高的要求。光刻膠的主要有效成分光致產酸劑 (PAG) 浸出到介質中會損傷鏡頭，且以 PAG 陰離子造成的損傷更為嚴重，浸沒式 ArF 光刻膠的開發重點之一便是要解決 PAG 在液體介質中的浸出問題。浸出的速率越大，對鏡頭的污染越大。PAG 浸出測試旨在模擬實際光刻過程中，在超純水浸泡下短時間內從光刻膠遷移至水中的成分種類及其遷移速率，這時浸沒式 ArF 一般會采用 WEXA (water-extraction-and-analysis apparatus) 設備進行采樣，再使用安捷倫高靈敏度的 LC-QQQ 和 LC-QTOF 完成浸出化合物檢測工作，陰離子的檢測下限可達 0.005 ppb，可完全滿足 leaching 的實驗要求。