愛安德分享半導體曝光設備的應用
半導體曝光裝置用于包含MOS(金屬氧化物半導體)、FET(場效應晶體管)等半導體元件的IC(集成電路)的制造工序中的曝光工序。
在IC制造過程中,在硅晶片上依次重復光刻和蝕刻循環,并且在將氧化硅、金屬等層層壓并加工成預定圖案的過程中,半導體元件所需的特性被加工為執行得如此,它已經 .例如,在n型MOS(NMOS)的情況下,在p型硅基板的柵極區域上形成氧化硅膜和柵極金屬,并且將高濃度的雜質離子注入到漏極和源極中。這形成了n型(n+型)MOS。這一系列工序中的光刻工序和蝕刻工序如圖所示地構成(成膜工序S1~抗蝕劑剝離工序S6)。
其中,曝光工序(S3)使用半導體曝光裝置來進行。根據電路圖案的尺寸和半導體元件的精度,使用不同的曝光設備波長。
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