機(jī)械研磨vs離子研磨
一般來說,掃描電子顯微鏡樣品制備通常使用機(jī)械切割或者磨拋的方式進(jìn)行樣品觀測。機(jī)械研磨作為較常用的制備手段,通過研磨和拋光在樣品表面形成 1nm 至 100nm 厚度的非晶層,稱為 Beilby 層。Beilby 層會掩蓋住大部分的樣品真實(shí)信息,對掃描電鏡表征產(chǎn)生很大的影響。
機(jī)械制樣測試的 SEM 結(jié)果
離子研磨(氬離子拋光)工作原理:可以無應(yīng)力地去除樣品表面層,加工出光滑的鏡面,為掃描電鏡的樣品制備提供了更為有效的解決方案。
離子研磨是使用高能離子槍轟擊樣品的頂面。高能離子束與樣品的表層非晶層中松散結(jié)合的表面原子相互作用,并將其除去以顯示原子級清潔的表面。在整個過程中可以調(diào)整離子能量,離子束入射角等,以優(yōu)化樣品制備時間和表面質(zhì)量。
離子研磨儀工作原理示意圖
經(jīng)過離子研磨儀(氬離子拋光儀)處理后,使用掃描電鏡(SEM)觀測可以得到更為真實(shí)的樣品表面。
離子研磨儀的應(yīng)用案例
引線鍵合
結(jié)束前工序的每一個晶圓上,都連接著 500~1200 個芯片(也可稱作 Die)。為了將這些芯片用于所需之處,需要將晶圓切割(Dicing)成單獨(dú)的芯片后,再與外部進(jìn)行連接、通電。此時,連接電線(電信號的傳輸路徑)的方法被稱為引線鍵合(Wire Bonding)。
引線鍵合是把金屬引線連接到焊盤上的一種方法,即把內(nèi)外部的芯片連接起來的一種技術(shù)。從結(jié)構(gòu)上看,金屬引線在芯片的焊盤(一次鍵合)和載體焊盤(二次鍵合)之間充當(dāng)著橋梁的作用。因此,鍵合的質(zhì)量會直接影響產(chǎn)品的質(zhì)量,通常會使用 SEM 進(jìn)行觀測。
通過直接機(jī)械研磨后進(jìn)行檢查無法觀測到鍵合質(zhì)量的好壞,經(jīng)過離子研磨(氬離子拋光)處理后可以清晰地看到鍵合的質(zhì)量。
機(jī)械研磨(無法觀測到鍵合質(zhì)量)
離子研磨(氬離子拋光)處理后可以清晰地看到鍵合的質(zhì)量
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對其真實(shí)性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。