對于光伏(PV)和薄膜電池(TFB)來說，要在成本上與化石燃料和傳統電池競爭，高制造成品率至關重要。CdTe/CdS和CdS/CIGS光伏器件的CdS層以及tbs的LiPON層的針孔導致良率損失和性能降低。掃描電鏡（SEM）平面視圖分析沒有深度分辨率來確定孔是否穿透一層。

Attolight CL技術的優勢在于:

• 通過對單元過程進行針孔檢測，縮短了開發時間;可以比較工藝變量和沉積方法對針孔形成的影響。

• 在針孔檢測過程中評估缺陷密度和成分梯度。

• 快速自動繪圖:65秒內完成25 μm × 25 μm面積的繪圖。

CL通過檢測來自底層的光來檢測針孔，如下圖所示:

下面的SEM圖像和CL圖顯示了該技術在SnO2化學鍍液沉積的CdS上的針孔的實際應用。發射圖譜如下：

• CdS(掃描電鏡中的光區):綠色(帶隙)和紅色(中隙缺陷狀態)。

• 針孔(SEM中的黑色區域):藍色(中間隙缺陷狀態)來自孔底部的SnO2。

圓對應于單個CL點。圓直徑=電子相互作用體積(100 nm@5keV)。