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一、單原子層逐次沉積，沉積層極均勻的厚度和優(yōu)異的一致性等就體現(xiàn)出來，而沉積速度慢的問題就不重要了。以下主要討論原子層沉積原理和化學，原子層沉積與其他相關技術的比較，原子層沉積設備，原子層沉積的應用和原子層沉積技術的發(fā)展。
二、通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應器并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種方法(技術)。當前驅體達到沉積基體表面，它們會在其表面化學吸附并發(fā)生表面反應。在前驅體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應器進行清洗。由此可知沉積反應前驅體物質能否在被沉積材料表面化學吸附是實現(xiàn)原子層沉積的關鍵。
三、氣相物質在基體材料的表面吸附特征可以看出，任何氣相物質在材料表面都可以進行物理吸附，但是要在材料表面的化學吸附必須具有一定的活化能，因此能否實現(xiàn)原子層沉積，選擇合適的反應前驅體物質是很重要的。
四、ALD是通過化學反應得到生成物，但在沉積反應原理、沉積反應條件的要求和沉積層的質量上都與傳統(tǒng)的CVD不同，在傳統(tǒng)CVD工藝過程中，化學蒸汽不斷通入真空室內，因此該沉積過程是連續(xù)的，沉積薄膜的厚度和溫度、壓力、氣體流量以及流動的均勻性、時間等多種因素有關；在ALD工藝過程中，則是將不同的反應前驅物以氣體脈沖的形式交替送入反應室中，因此并非一個連續(xù)的工藝過程。相對于傳統(tǒng)的沉積工藝而言，ALD在膜層的均勻性、階梯覆蓋率以及厚度控制等方面都具有明顯的優(yōu)勢。
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