SiC外延片測試方案

來源：冠乾科技（上海）有限公司 2023年03月15日 16:14

SiC由于其禁帶寬度大、熱導率高、電子的飽和漂移速度大、臨界擊穿電壓高和介電常數(shù)低等特點，在高頻、高功率、耐高溫的半導體功率器件和紫外探測器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景，特別是在電動汽車、電源、航天等領(lǐng)域備受歡迎。

外延材料是實現(xiàn)器件制造的關(guān)鍵，主要技術(shù)指標有外延層厚度、晶格布局，材料結(jié)構(gòu)，形貌以及物理性質(zhì)，表面粗糙度和摻雜濃度等。本文闡述了SiC外延表面常見的測試手段。

本解決方案詳細闡述了如何檢測SiC外延層厚度、晶格布局，材料結(jié)構(gòu)，形貌以及物理性質(zhì)，表面粗糙度和摻雜濃度。如果需要查看完整的文章，請聯(lián)系我們。

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