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某 AI 芯片公司研發部采用伯東 20IBE-C 用于蝕刻 FSD 車載 AI 芯片, 去除制造過程中產生的污染物, 提高 AI 芯片的表面均勻度.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 技術參數如下:
Ф4 inch X 6片 | 基板尺寸 | < Ф3 inch X 8片 |
樣品臺 | 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉 | |
離子源 | 20cm 考夫曼離子源 | |
均勻性 | ±5% for 8”Ф | |
硅片蝕刻率 | 20 nm/min | |
溫度 | <100 |
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 產品圖如上圖, 其主要構件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺. 如下圖：
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:
離子源型號 | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 30 cm |
直徑 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 的樣品臺可以 0-90 度旋轉, 實現晶圓反應面均勻地接受離子的轟擊, 進而實現提高晶圓的加工質量.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 配套的是伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700.
伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700 技術參數:
2707-Operating voltage: V DC | 48 (± 5 %) V DC |
Ar 的壓縮比 | > 1 · 1011 |
Ar 的抽速 | 665 l/s |
Ar 的最終轉速時的氣體流量 | 3.5 hPa l/s | 2.62 Torr l/s | 3.5 mbar l/s |
H2 的壓縮比 | 4 · 105 |
H2 的抽速 | 555 l/s |
H2 的最終轉速時的氣體流量 | > 14 hPa l/s | > 10.5 Torr l/s | > 14 mbar l/s |
He 的壓縮比 | 3 · 107 |
He 的抽速 | 655 l/s |
He 的最終轉速時的氣體流量 | 10 hPa l/s | 7.5 Torr l/s | 10 mbar l/s |
I/O 接口 | RS-485, 遠程, Profibus |
N2 的壓縮比 | > 1 · 1011 |
N2 的抽速 | 685 l/s |
N2 的ZUI大預真空 | 11 百帕 |
N2 的最終轉速時的氣體流量 | 6.5 hPa l/s | 4.88 Torr l/s | 6.5 mbar l/s |
不帶氣鎮的最終壓力 | 1 · 10-7 百帕 |
允許冷卻水的溫度 | 15 – 35 °C 攝氏度 |
冷卻水消耗最小值 | 100 l/h |
冷卻水耗量 | 100 l/h |
冷卻類型，可選項 | 空氣 |
冷卻類型，標準 | 水 |
聲壓水平 | ≤50 dB(A) 分貝 (A) |
安裝方向 | 任何 |
排氣連接 | G 1/8" |
接口，擴展 | Profibus |
方位 | 混合動力 |
ZUI大允許磁場 | 6 mT |
根據 PNEUROP 的最終壓力 | < 1 · 10-7 百帕 |
電子驅動單元 | 帶有 TC 400 |
電流ZUI大值 | 8,75 A |
耗電量 max. | 420 瓦 |
轉速 ?± 2 % | 49,200 rpm | 49,200 min-1 |
轉速可變化 | 60 – 100 |
運行時間 | 2 分 |
連接法蘭（入口） | DN 160 ISO-F |
連接法蘭（出口） | DN 25 ISO-KF/G ?" |
重量 | 12.1 千克 |
防護等級 | IP54 |
若您需要進一步的了解詳細產品信息或討論 , 請參考以下聯絡方式 :
上海伯東 : 羅先生
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