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微波等離子化學氣相沉積系統MPCVD爐，通過等離子增加前驅體的反應速率，降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態好的高質量硬質薄膜和晶體。
化學氣相沉積法之所以得到發展，是和它本身的特點分不開的，其特點如下：
1、沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。
2、CVD反應在常壓或低真空進行，鍍膜的繞射性好，對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆。
3、能得到純度高、致密性好、殘余應力小、結晶良好的薄膜鍍層。
4、由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多，由此可以得到純度高、結晶*的膜層，這是有些半導體膜層所必須的。
5、利用調節沉積的參數，可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結構和晶粒度等。
6、設備簡單、操作維修方便。
7、反應溫度太高，一般要850-1100℃下進行，許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。采用等離子或激光輔助技術可以降低沉積溫度。
化學氣相沉積法之所以得到發展，是和它本身的特點分不開的，其特點如下：
1、沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。
2、CVD反應在常壓或低真空進行，鍍膜的繞射性好，對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆。
3、能得到純度高、致密性好、殘余應力小、結晶良好的薄膜鍍層。
4、由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多，由此可以得到純度高、結晶*的膜層，這是有些半導體膜層所必須的。
5、利用調節沉積的參數，可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結構和晶粒度等。
6、設備簡單、操作維修方便。
7、反應溫度太高，一般要850-1100℃下進行，許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。采用等離子或激光輔助技術可以降低沉積溫度。
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