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阻抗型石英晶體微天平檢測技術與特點說明

來源:美國Gamry電化學   2021年03月27日 22:58  
   阻抗型石英晶體微天平基于耗散因子檢測技術的界面跟蹤探測系統進行分子與界面相互作用的研究,工作時,先將芯片放置于流動池中,將流動池固定于樣品平臺上,樣品平臺與電子單元和電腦主機連接,樣品通過蠕動泵流經流動池中的芯片上方;
 
  通過軟件設置,電子單元對芯片兩面施加一個電壓隨后斷開,芯片發生振動、產生電信號并傳輸回電子單元,振動的頻率和振幅記錄在軟件系統里;
 
  當樣品流經芯片上方,有物質吸附在芯片上或者將芯片上的物質沖走時,都會改變芯片的振動狀態并被記錄下來;
 
  芯片振動狀態與芯片上方物質的改變量,包括質量,厚度,密度和柔軟程度有關,所以軟件通過數學分析的方法可以獲取芯片上方物質的這些變量。
 
  測定吸附層質量,并同步提供粘彈性等結構信息。可測定多種不同類型表面的分子相互作用和分子吸附行為,同時可檢測分子的結構變化以及吸附與解析的動態過程。
 
  阻抗型石英晶體微天平的特點:
  1.測量低、中、高頻0.02~100MHz范圍內石英晶體諧振頻率、等效電阻。
 
  2.第四代升級產品,頻率電調諧,機內帶可調負載電容。
 
  3.頻率數顯,阻抗指針式顯示。
 
  4.頻率測量精度≤5PPM,可選配更高精度頻標。
 
  5.可選配八位頻率和四位PPM同時顯示,頻率上下限、分檔分選功能。
 
  6.上下限頻率分別設置,超出范圍(不合格)時自動聲光報警。

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