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砷化鎵晶圓的研磨拋光

來源:北京華沛智同科技發(fā)展有限公司   2018年05月30日 11:17  

    砷化鎵(gallium arsenide),化學式 GaAs。黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下,能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料,屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體

    砷化鎵晶圓的用途各不相同,主要用于一些二極管、場效應晶體管(FET)和集成電路(IC)等。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。此外,砷化鎵可以用于制造光通信和控制系統(tǒng)中的發(fā)光二極管(LED)。砷化鎵是半導體材料中兼具多方面優(yōu)點的材料*的性能已使其成為線性數(shù)字IC生產(chǎn)中硅材料的替代者。但由于它在高溫下分解,要生產(chǎn)理想化學配比的高純的單晶材料,技術(shù)上要求比較高。

典型的砷化鎵晶圓拋光條件:

1、劃痕硬度(莫恩尺度):3

2、磨料:氧化鋁粉

3、負荷(g cm-2):60-80

4、機器:Logitech PM5 / LP50

5、夾具:Logitech PP5 / 6GT

典型的研磨和拋光結(jié)果:

1、平整度:5 Fringes

2、表面處理:Ra 3-4nm

3、厚度控制:+/- 2μm至100μm

4、平行度:+/- 2μm

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