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    預計半導體用超高純度鹽酸試劑和硫酸中存在的鍺雜質的含量在50ppt（pg/gr）以下，單從含量來考慮可直接用ICP-MS檢測，但98%的硫酸粘度為27cP，未經稀釋直接引入ICP-MS會存在物理干擾，必須稀釋10倍以上后再進行分析。 同時，36% 水溶液狀態的鹽酸未經稀釋直接分析也存在物理干擾，無法利用外標法（External Calibration）定量，建議使用標準加入法（StandardAddition）定量或稀釋5倍后再分析。因此， 為了運用外標法直接檢測鍺（Ge），實際上需要可穩定檢測5ppt 以下鍺的高靈敏度ICP-MS。利用ICP-MS分析系統分析鹽酸和硫酸介質中的鍺（Ge，70，72，74）時，鹽酸中的氯（Chorine，Cl）和硫酸中的硫（Sulfur，S）會產生干擾,大大增加了這一檢測的難度。

 

    本應用的目標是利用NexION 2000S ICP-MS系統，了解檢測半導體清洗工藝中廣泛應用于去除硅晶片表面的金屬雜質和高分子有機污染物的高純度鹽酸（HCI）和硫 酸（H₂SO₄）中所含超痕量鍺（Germanium）的能力。專門應用于半導體高純度工藝分析的NexION 2000S 可采用具有 NH3-DRC（動態反應池）功能的氨質量轉移（M+ + NH3 → M-NH3+ ）技術，通過該技術排除鹽酸和硫酸引起的干擾，成功地檢測出5ppt以下的鍺（Ge）。