即使是超痕量的雜質都可能會導致硅基半導體器件發生缺陷。由于許多重要的待測元素在使用電感耦合等離子體質譜儀分析時會受到等離子產生的分子和同質異位素的干擾，因此對許多重要的待測元素的分析都很困難，這進一步增加了分析硅雜質的難度和復雜性。NexION 300 ICP-MS通過向通用池中通入適當的低流量反應氣和使用*的動態帶通調諧（DBT）的功能，使離子束進入四級桿質譜前就將干擾去除。本應用報告證明了NexION 300S ICP-MS使用低流量霧化器對小體積體硅樣品中的雜質元素進行測定的能力。
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