賽默飛三重四極桿質(zhì)譜儀TSQ Endura離子源
TSQ Endura 配置的是賽默飛新設(shè)計(jì)的的Easy Max NG 離子盒，具有加熱型HESI 源和APCI 源一體化設(shè)計(jì)，只需要更換噴針即可實(shí)現(xiàn)ESI 源和APCI 源的切換。Easy Max NG 源的另一個(gè)特點(diǎn)是集成式氣路電路設(shè)計(jì)，安裝Easy Max NG 源時(shí)即可自動(dòng)完成氣路和電路的連接，不需要進(jìn)行額外的操作。同時(shí)質(zhì)譜系統(tǒng)還可自動(dòng)識(shí)別源的類型，真正實(shí)現(xiàn)了智能化操作。
另外，電噴霧源噴針沿用了傾斜噴霧角度設(shè)計(jì)，且前后、左右位置可調(diào)，離子傳輸通道下方的不對(duì)稱切面，使得多余的溶劑噴霧直接快速的排除到傳輸通道下方，減少離子源的維護(hù)周期，使得實(shí)際樣品分析試驗(yàn)中耐受性zui大化。在離子源的排放端口具有恒定的氮?dú)鈿饬鳎コ嗳軇┱羝档突€噪音并增加系統(tǒng)耐用性。
賽默飛三重四極桿質(zhì)譜儀TSQ Endura離子傳輸部件
在離子傳輸部件上TSQ Endura 有兩大*設(shè)計(jì)，1是RF-lens 設(shè)計(jì)，對(duì)于由離子傳輸管中輸入的大量離子具有*的傳輸效率和聚焦能力。同時(shí)由于RF-lens 的獨(dú)立一體化設(shè)計(jì)以及不銹鋼材質(zhì)，可以簡(jiǎn)單方便地進(jìn)行拆卸和清洗；第二是彎曲的離子束傳輸組件加上中性粒子擋桿的設(shè)計(jì)，質(zhì)譜離子化時(shí)會(huì)產(chǎn)生一些中性粒子，這些中性粒子如果進(jìn)入離子通道，會(huì)造成質(zhì)譜圖的噪音干擾，并且極易污染整個(gè)離子光學(xué)通道，將傳輸四極桿設(shè)計(jì)成彎曲通道，并在上方加上中性粒子阻擋桿的設(shè)計(jì)，帶電離子可以受電場(chǎng)影響發(fā)生偏轉(zhuǎn)通過(guò)傳輸四極桿，而中性離子不受電場(chǎng)影響不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，湮滅在中性粒子阻擋桿上，避免進(jìn)入四極桿質(zhì)量分析器。
主四極桿：
主四極桿是TSQ Endura 的核心部件之一，其可以對(duì)離子進(jìn)行過(guò)濾篩選和掃描，TSQ Endura上用的四極桿是賽默飛的雙曲面四極桿，具有同類產(chǎn)品中zui寬的質(zhì)量范圍。另一個(gè)特性是與其它三重四極桿上所加的振幅相等的RF電壓不同，TSQ Endura 四極桿上加的為不對(duì)稱RF電壓，通過(guò)施加這種不對(duì)稱的RF射頻電壓，將整個(gè)四極桿系統(tǒng)的離子傳輸效率提高。
主動(dòng)碰撞池Q2
離子通過(guò)*個(gè)四極桿后，進(jìn)入到碰撞池Q2，Q2的主要作用是將離子進(jìn)行CID裂解，并高效傳輸?shù)降谌齻€(gè)四極桿進(jìn)行子離子的選擇掃描。TSQ Endura 主動(dòng)碰撞池Q2采用了彎曲碰撞池設(shè)計(jì)，并且在軸向有DC 電場(chǎng)，可以對(duì)離子進(jìn)行分段加速，使得碎片離子在Q2中不但拐彎而且被加速，配合更高壓力的Ar做碰撞氣，可以獲得更加豐富、靈敏的二級(jí)離子碎片。
雙模式離散打拿級(jí)檢測(cè)器：
TSQ Endura 的檢測(cè)器為雙模式離散打拿級(jí)檢測(cè)器，消除噪音，提高靈敏度。雙模式檢測(cè)器可對(duì)離子流進(jìn)行自動(dòng)智能識(shí)別，進(jìn)行不同模式間的切換和信號(hào)擬合，從而實(shí)現(xiàn)超高靈敏度和超寬線性動(dòng)態(tài)范圍
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