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貨物所在地：北京北京市
所在地： 北京
更新時間：2025-01-13 10:19:26
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Flex One 顯微光致發(fā)光光譜儀
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| 欲了解更多信息請：-601 |
性能特點(diǎn)：
● 一體化的光學(xué)調(diào)校 ——所有光學(xué)元件只需要在初次安裝時 進(jìn)行調(diào)校，確保高效性和易用性 ● 簡單易用的雙光路設(shè)計 ——可隨意在水平和垂直光路上進(jìn)行切 換，適用于各種常見的樣品形態(tài) ● 超寬光譜范圍** ——300nm-2200nm ● 視頻監(jiān)視光路 ——可供調(diào)整測試點(diǎn) ● *的發(fā)射光譜校正功能* ——讓光譜測量更精準(zhǔn)且具有可比性 | ● 多種激發(fā)波長可選** ——325nm，405nm，442nm， 473nm，532nm，633nm，785nm等 ● 自動mapping功能可選* ——50mm×50mm測量區(qū)間，可定制 特殊規(guī)格 ● 電致發(fā)光(EL)功能可選* ——擴(kuò)展選項(xiàng) ● 顯微拉曼光譜測量功能可選* ——擴(kuò)展選項(xiàng) ● 超低溫測量附件可選* ——提供10K以下的超低溫測量 |
| *選配項(xiàng)，請詳細(xì)咨詢； **需根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行配置確定。 |
產(chǎn)品簡介：
光致發(fā)光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可見或紅外輻射激發(fā)發(fā)光材料而產(chǎn)生的發(fā)光，在半導(dǎo)體材料的發(fā)光特性測量應(yīng)用中通常是用激光（波長如325nm、532nm、785nm 等）激發(fā)材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）產(chǎn)生熒光，通過對其熒光光譜（即PL 譜）的測量，分析該材料的光學(xué)特性，如禁帶寬度等。光致發(fā)光可以提供有關(guān)材料的結(jié)構(gòu)、成分及環(huán)境原子排列的信息，是一種非破壞性的、高靈敏度的分析方法，因而在物理學(xué)、材料科學(xué)、化學(xué)及分子生物學(xué)等相關(guān)領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。傳統(tǒng)的顯微光致發(fā)光光譜儀都是采用標(biāo)準(zhǔn)的顯微鏡與熒光光譜儀的結(jié)合，但是傳統(tǒng)的顯微鏡在材料的PL 譜測量中，存在很大的局限性，比如無法靈活的選擇實(shí)驗(yàn)所需的激光器（特別對于UV 波段的激光器，沒有足夠適用的配件），無法方便的與超低溫制冷機(jī)配合使用，采用光纖作為光收集裝置時耦合效率太低等等問題，都是采用標(biāo)準(zhǔn)顯微鏡難以回避的問題。
北京卓立漢光儀器有限公司結(jié)合了公司十余年熒光光譜儀和光譜系統(tǒng)的設(shè)計經(jīng)驗(yàn)和普遍用戶的實(shí)際需求，推出了“Flex One( 微光）"系列顯微光致發(fā)光光譜儀，有效的解決了上述問題，是目前市場上 具性價比的的顯微PL 光譜測量的解決方案。
( 產(chǎn)品圖片僅供參考，以實(shí)際系統(tǒng)配置為準(zhǔn))
系統(tǒng)組成
● 激發(fā)光源部分：紫外-近紅外波段各種波長激光器
● 顯微光路部分：優(yōu)化設(shè)計的專用型顯微光路
● 光譜采集部分：影像校正光譜和高靈敏型科學(xué)級CCD或單點(diǎn)探測器和數(shù)據(jù)采集器
● 樣品臺支架部分：xyz三維可調(diào)樣品臺（手動或自動）、超低溫樣品臺
參數(shù)規(guī)格表：
| 主型號 | Flex One | |||
|---|---|---|---|---|
| 光譜范圍 | 300-2200nm | |||
| 光譜分辨率 | 0.1nm | |||
| 激發(fā)光可選波長 | 325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等 | |||
| 探測器 | 類型 | 制冷型CCD 2000×256 | 制冷型InGaAs 512×1 | 制冷型InGaAs 512×1 |
| 有效范圍 | 300-1000nm | 800-1700nm | 800nm-2200nm | |
| 空間分辨率 | <100μm | |||
| 注*：以上為基本規(guī)格，詳細(xì)規(guī)格依據(jù)不同配置的選擇會有差異，詳情請咨詢！ | ||||
InGaN/GaN多量子阱的PL譜和EL譜測試
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● 樣品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于藍(lán)寶石襯底MOCVD 生長的 InGaNGaN 量子阱 ● 測試條件：325nm激發(fā)，功率30mW ● 光譜范圍：340-700nm | |
1. 光致發(fā)光(PL)光譜測量 分別針對材料的正( 紅色) 和負(fù) ( 綠色) 測試得到光致發(fā)光光譜曲線 如下，GaN 的本征發(fā)光峰365nm 附近 以及黃帶，InGaN 的發(fā)光峰475nm 附近。 |  |
2. 電致發(fā)光(EL)光譜測量 將材料的正負(fù)接到直流電源的正 負(fù)，電壓加到2.5V 時可以有明顯的 藍(lán)光發(fā)射，測量其電致發(fā)光光譜曲線如 下（紅色），峰值在475nm 附近。 |  |
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