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日本Otsuka大塚FE-300光譜分析膜厚量測儀-成都藤田科技提供
產品信息
特殊長度
● 支持從薄膜到厚膜的各種薄膜厚度
● 使用反射光譜分析薄膜厚度
● 實現非接觸、非破壞的高精度測量,同時體積小、價格低
● 簡單的條件設置和測量操作!任何人都可以輕松測量薄膜厚度
● 通過峰谷法、頻率分析法、非線性最小二乘法、優化法等,可以進行多種膜厚測量。
● 非線性最小二乘法薄膜厚度分析算法可以進行光學常數分析(n:折射率,k:消光計數)。
測量項目
反射率測量
膜厚分析(10層)
光學常數分析(n:折射率,k:消光計數)
測量對象
功能膜、塑料
透明導電膜(ITO、銀納米線)、相位差膜、偏光膜、AR膜、PET、PEN、TAC、PP、PC、PE、PVA、粘合劑、膠粘劑、保護膜、硬涂層、防指紋, 等等。
半導體
化合物半導體、Si、氧化膜、氮化膜、Resist、SiC、GaAs、GaN、InP、InGaAs、SOI、藍寶石等。
表面處理
DLC涂層、防銹劑、防霧劑等。
光學材料
濾光片、增透膜等。
FPD
LCD(CF、ITO、LC、PI)、OLED(有機膜、封裝材料)等
其他
HDD、磁帶、建筑材料等
測量原理
大冢電子利用光學干涉儀和自有的高精度分光光度計,實現非接觸、無損、高速、高精度的薄膜厚度測量。光學干涉測量法是一種使用分光光度計的光學系統獲得的反射率來確定光學膜厚的方法,如圖 2 所示。以涂在金屬基板上的薄膜為例,如圖1所示,從目標樣品上方入射的光被薄膜表面(R1)反射。此外,穿過薄膜的光在基板(金屬)和薄膜界面(R2)處被反射。測量此時由于光程差引起的相移所引起的光學干涉現象,并根據得到的反射光譜和折射率計算膜厚的方法稱為光學干涉法。分析方法有四種:峰谷法、頻率分析法、非線性最小二乘法和優化法。
規格
規格
類型 | 薄膜型 | 標準型 |
測量波長范圍 | 300-800nm | 450-780nm |
測量膜厚范圍 (SiO 2換算) | 3nm-35μm | 10nm-35μm |
光斑直徑 | φ3mm / φ1.2mm | |
樣本量 | φ200×5(高)mm | |
測量時間 | 0.1-10s內 | |
電源 | AC100V ± 10% 300VA | |
尺寸、重量 | 280 (W) x 570 (D) x 350 (H) 毫米,24 公斤 | |
其他 | 參考板,配方創建服務 |
設備配置
光學家譜
軟件畫面
日本Otsuka大塚FE-300光譜分析膜厚量測儀-成都藤田科技提供
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