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廣東森德儀器有限公司

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當(dāng)前位置:廣東森德儀器有限公司>>分析儀器>>光譜>> PRIDE-100型電感耦合等離子體光譜儀

PRIDE-100型電感耦合等離子體光譜儀

參  考  價(jià): 250000

訂  貨  量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào):

品       牌:其他品牌

廠商性質(zhì):代理商

所  在  地:廣州市

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更新時(shí)間:2025-03-18 10:24:06瀏覽次數(shù):186次

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應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
PRIDE-100型電感耦合等離子體光譜儀即以電感耦合高頻等離子體為激發(fā)光源,利用每種元素的原子或離子發(fā)射特征光譜來(lái)判斷物質(zhì)的組成,而進(jìn)行元素的定性與定量分析儀器。

PRIDE-100型電感耦合等離子體光譜儀工作原理

PRIDE-100型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀又稱為ICP光譜儀( Inductive Coupled Plasma )即以電感耦合高頻等離子體為激發(fā)光源,利用每種元素的原子或離子發(fā)射特征光譜來(lái)判斷物質(zhì)的組成,而進(jìn)行元素的定性與定量分析儀器。也被稱為ICP原子發(fā)射光譜儀。原子發(fā)射光譜分析過(guò)程主要分三步,即激發(fā)、分光和檢測(cè)。

第一步:激發(fā)光源使試樣蒸發(fā)汽化,離解或分解為原子狀態(tài),原子也可能進(jìn)一步電離成離子狀態(tài)。原子及離子在光源中激發(fā)發(fā)光;

第二步:利用分光器把光源發(fā)射的光色散為按波長(zhǎng)排列的光譜;

第三步:利用光電器件檢測(cè)光譜,按所測(cè)得的光譜波長(zhǎng)對(duì)試樣進(jìn)行定性分析,或按發(fā)射光強(qiáng)度進(jìn)行定量分析。


PRIDE-100型電感耦合等離子體光譜儀技術(shù)性能指標(biāo)說(shuō)明

1. 射頻發(fā)生器(RF):

電路類型

他激式固態(tài)射頻發(fā)生器,由兩只金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET管組成的推挽放大電路,全自動(dòng)點(diǎn)火,全自動(dòng)匹配調(diào)諧,計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)監(jiān)控,全自動(dòng)化自動(dòng)控制。

工作頻率

27.12MHz±0.05%

頻率穩(wěn)定性

<0.01%

輸出功率

800-1500w

輸出功率穩(wěn)定性

≤0.1%

電磁場(chǎng)泄漏射強(qiáng)度

距機(jī)身30cm

電場(chǎng)強(qiáng)度E

<1V/m

磁場(chǎng)強(qiáng)度H

<0.2A

2、進(jìn)樣系統(tǒng):

輸出工作線圈內(nèi)徑

25mm,3匝

炬管

三重同心石英炬管

同軸型噴霧器外徑

6mm

雙筒形霧室外徑

35mm

氬氣流量計(jì)規(guī)格和載氣壓力表規(guī)格

等離子氣流量計(jì)(100-1000)L/h ;(1.6-16L/min)

輔助氣流量計(jì)(10-100)L/h ;(0.16-1.66L/min)

載氣流量計(jì)(10-100)L/h ;(0.16-1.66L/min)

載氣穩(wěn)壓閥(0-0.6M Pa)

3、測(cè)光系統(tǒng):

光電倍增管規(guī)格

R212UH

信號(hào)采集為V/F交換

1mV對(duì)應(yīng)100Hz

光電倍增管負(fù)高壓

200-1000V

穩(wěn)定性<0.05%

光電倍增管電流測(cè)量范圍

10-12 -10-4A

4、分光系統(tǒng):

光路

Czerny- Turner

焦距

1000mm

光柵規(guī)格

離子刻蝕全息光柵

刻線密度

2400線/mm  3600線/mm  4320線/mm

分辨率

≤0.008nm

刻線面積

80×110mm

波長(zhǎng)示值誤差

≤±0.03nm

波長(zhǎng)范圍

190-800 nm

透鏡

ф30,1:1成像

入射狹縫

20µm

發(fā)射鏡規(guī)格

(78× 105 × 16)mm

出射狹縫

20µm

步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)最小步距

0.0005nm




PRIDE-100光譜儀的特點(diǎn)

它采用全固態(tài)射頻發(fā)生器,電壓50V工作,改變了以往電子管高達(dá)幾千V使用的安全隱患;

固態(tài)發(fā)生器進(jìn)口MOSFET管平均工作時(shí)長(zhǎng)是30萬(wàn)個(gè)小時(shí),與以往的電子管相比提高了上百倍;

控制電路全程計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)監(jiān)控,測(cè)量的穩(wěn)定性和誤差縮大幅調(diào)高。




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