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Plasma Process Cluster 多腔等離子體工藝系統(tǒng)

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更新時(shí)間:2024-10-22 15:56:24瀏覽次數(shù):103次

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l方案是適用于8吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)l系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)l系統(tǒng)兼容8吋、6吋、4吋、3吋晶圓和不規(guī)則碎片

l   方案是適用于 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)

l   系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)

l   系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片;不同尺寸樣片之間的切換、無(wú)需反應(yīng)腔的開腔破真空

l   系統(tǒng)包括:

一個(gè)六端口的轉(zhuǎn)接腔、帶機(jī)械手

六個(gè)端口分別連接:

1)一個(gè) ALE 刻蝕腔模塊:用于 Al2O3, AlGaN, GaN 等的原子層刻蝕

2)一個(gè)ICPECVD 沉積腔模塊:用于沉積氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介質(zhì)膜

3)一個(gè)低溫 ICP-RIE 刻蝕腔模塊:配氟基氣體,主要用于低溫深硅刻蝕、常溫鍺刻蝕等

4)一個(gè) loadlock 預(yù)真空室模塊:用于單片樣品的手動(dòng)送樣

5)一個(gè)真空片盒站模塊:用于多片片盒的自動(dòng)送樣

6)一個(gè)端口備用,未來(lái)可升級(jí)增加 1 個(gè)刻蝕或沉積反應(yīng)腔模塊


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