薄膜電阻測(cè)試儀(四探針、電渦流) 參考價(jià):面議
電阻測(cè)量和監(jiān)控對(duì)于任何使用導(dǎo)電薄膜的行業(yè)都至關(guān)重要,從半導(dǎo)體制造到可穿戴技術(shù)所需的柔性電子產(chǎn)品。R50薄膜電阻測(cè)試儀(四探針、電渦流)在金屬膜均勻性分布、離子摻...超低溫力學(xué)測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià):面議
超低溫力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)專用于超低溫環(huán)境的材料力學(xué)試驗(yàn)機(jī),溫度低至-269℃。力電聯(lián)測(cè)試驗(yàn)機(jī) 參考價(jià):面議
力電聯(lián)測(cè)試驗(yàn)機(jī)通過(guò)軟件關(guān)聯(lián)試驗(yàn)機(jī)和電學(xué)儀表(LCR),實(shí)現(xiàn)力--電同步測(cè)試,除常規(guī)的試驗(yàn)機(jī)測(cè)試外,還可得到:載荷\應(yīng)力-電阻\電容、位移\應(yīng)變-電阻\電容曲線。材料試驗(yàn)機(jī) 參考價(jià):面議
材料力學(xué)試驗(yàn)機(jī),包括靜態(tài)、動(dòng)態(tài)、沖擊試驗(yàn)等,采用多種加載方式,如:機(jī)械加載、電/液伺服加載、多軸協(xié)調(diào)加載等微納拉伸試驗(yàn)機(jī) 參考價(jià):面議
微納力學(xué),微納拉伸測(cè)試,納米拉伸測(cè)試納米壓痕儀 參考價(jià):面議
高精度納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng),原位納米力學(xué)測(cè)試平臺(tái)。原子力顯微鏡 參考價(jià):面議
原子力顯微鏡可進(jìn)行高精度的粗糙度、臺(tái)階高度及微納米級(jí)別三維輪廓等測(cè)量,同時(shí)可以測(cè)量相位、電場(chǎng)、磁場(chǎng)、導(dǎo)電力等其他各種高級(jí)物理量。橢偏儀 參考價(jià):面議
橢偏儀:超薄膜的實(shí)時(shí)可視化分析測(cè)試,實(shí)時(shí)觀察樣品微觀尺度上的結(jié)構(gòu)。可以測(cè)量諸如薄膜厚度、折射率和吸收系數(shù)等參數(shù)。也可以對(duì)薄膜進(jìn)行區(qū)域化(選區(qū))分析,獲得所選區(qū)域...反射膜厚儀 參考價(jià):面議
反射膜厚儀采用反射干涉原理,無(wú)損測(cè)量薄膜厚度及其光學(xué)參數(shù)。白光干涉儀 參考價(jià):面議
白光干涉垂直掃描和移相干涉測(cè)量法,0.1nm臺(tái)階,采用TotalFocus 技術(shù),全視場(chǎng)真彩色圖像。多模組三維光學(xué)輪廓儀 參考價(jià):面議
多模組三維光學(xué)輪廓儀標(biāo)配ZDot白光共聚焦逐層成像,可選裝多模式光學(xué)系統(tǒng)。探針式輪廓儀(臺(tái)階儀) 參考價(jià):面議
探針式輪廓儀(臺(tái)階儀)高精度、低噪聲、高穩(wěn)定性和大掃描量程,這些技術(shù)特點(diǎn)為P系列臺(tái)階儀在晶圓測(cè)試領(lǐng)域的廣泛使用奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),也為其拓展了在其他材料測(cè)試方面的...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)