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產地類別 | 國產 | 應用領域 | 綜合 |
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磁控濺射鍍膜系統
MSR-500Plus
可用于制備金屬膜、半導體膜、陶瓷膜、介質膜。在金屬或非金屬表面通過直流濺射Au、Ag、Cr、Al、Ti、Mg等金屬,射頻濺射TiO2、ZnO、Al2O3等介質薄膜,既可進行單質金屬濺射也可進行反應濺射和共濺射。
系統設計
MSR-500Plus大型磁控濺射鍍膜系統由濺射室、磁控濺射靶、DC電源、RF電源、脈沖偏壓電源、基片載臺、溫控系統、真空系統、氣路系統、PLC控制系統等組成,機柜一體式設計,可集成手套箱。此外,我們也提供小型桌面式系統,經濟適用,節省用戶空間。
技術參數
濺射室 | 立式前開門設計,帶觀察窗。尺寸可定制,SUS304不銹鋼。 |
真空系統 | v 分子泵+旋片泵+高真空閥+數顯復合真空計 v 極限真空:5×10-5Pa(真空系統選配,本參數只做參考) v 系統漏率:5×10-9Pa.m3/s v 真空恢復:常壓至5×10-4 Pa,小于30分鐘 |
基片載臺 | 轉速0-50rpm,負偏壓設計 |
樣品加載 | 手動或Loadlock加載 |
溫度 | 500℃±1℃,PID控溫,加熱帶屏蔽 |
濺射源 | v 靶材尺寸:4’’/6’’/8’’,角度可調,配氣動擋板 v 濺射方向:向上或向下濺射 v DC:1000W,RF:300/500/600W v 靶距調整:80~120mm |
工作氣路 | 2-4路MFC,可混氣,可充入Ar、O2、N2等,氣體流量100/50/20 SCCM。 |
鍍膜均勻性 | ±5% |