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Uniscan M470

微區(qū)掃描電化學(xué)工作站基于電化學(xué)掃描探針設(shè)計(jì)，具有超高測(cè)量分辨率及空間分辨率的非接觸式微區(qū)形貌及電化學(xué)微區(qū)測(cè)試系統(tǒng)，快速精準(zhǔn)的閉環(huán)定位系統(tǒng)為電化學(xué)掃描探針納米級(jí)研究的需求而特別設(shè)計(jì)。目前已迭代至第四代掃描探針系統(tǒng)，是最靈活的電化學(xué)掃描探針工作平臺(tái)，適配多種探針技術(shù)和不同模塊。

9種探針技術(shù)

掃描電化學(xué)顯微系統(tǒng)（SECM）

交流掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)（ac-SECM）

間歇接觸掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)（ic-SECM）

微區(qū)電化學(xué)阻抗測(cè)試系統(tǒng)(LEIS)

掃描振動(dòng)點(diǎn)擊測(cè)試系統(tǒng)（SVET）

電解液微滴掃描系統(tǒng)（SDS）

交流電解液微滴掃描系統(tǒng)（ac-SDS）

掃描開爾文探針測(cè)試系統(tǒng)（SKP）

非觸式微區(qū)形貌測(cè)試系統(tǒng)（OSP）

M470 微區(qū)掃描電化學(xué)工作站特征：

SECM自動(dòng)處理曲線。

SECM用戶自定義處理曲線步長(zhǎng)變化。

高分辨率讀取。

手動(dòng)或自動(dòng)調(diào)節(jié)相位。

傾斜校正。

X或Y曲線相減（5階多項(xiàng)式）。

2D或3D快速傅里葉變化。

實(shí)驗(yàn)，探針移動(dòng)和區(qū)域繪圖的自動(dòng)排序。

圖形實(shí)驗(yàn)測(cè)序引擎（GESE）。

支持多區(qū)域掃描。

所有實(shí)驗(yàn)多個(gè)數(shù)據(jù)視圖。

峰值分析。

掃描工作臺(tái)（適配所有探針技術(shù)）                 

掃描范圍（x,y,z）：大于100mm

掃描驅(qū)動(dòng)分辨率 ：高0.1nm

閉環(huán)定位：線性零滯后編碼器，直接實(shí)時(shí)讀出x,z和y位移

軸分辨率（x,y,z）：20nm

大掃描速度：12.5mm/s

壓電（ic-和ac-掃描探針技術(shù)）

振動(dòng)范圍：20nm~ 2μm峰與峰之間1nm增量

最小振動(dòng)分辨率：0.12nm(16-bit DAC,4μm)

壓電晶體伸展：100μm

定位分辨率 ：0.09nm(20-bit DAC ,100μm)