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北京漢達森機械技術有限公司
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USHIO激光二極管HL40053MG原理應用及結構特點介紹

時間:2023/7/24閱讀:793
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USHIO激光二極管HL40053MG原理應用及結構特點介紹

Ushio  總部位于荷蘭,在法國和英國設有辦事處,在德國和波蘭設有制造工廠。Ushio 在歐洲的擴張最終導致了 Ushio 應用實驗室的發(fā)展,這些專業(yè)資源中的每一個都將他們的工程師專門用于光譜的特定領域,匯集了最終的照明解決方案供應商。


產(chǎn)品特點:

大功率(200mW CW,400mW 脈沖)

高可靠性

長壽命(MTTF 10,000h)

內(nèi)置監(jiān)視器 PD 可實現(xiàn)穩(wěn)定、**的控制


應用:

傳感

光電傳感器

激光測距儀

ToF 傳感器

機器視覺

2D/3D 掃描

生物醫(yī)學

基因檢測/流式細胞儀


原理:

是利用半導體材料內(nèi)部的長壽命載流子重新結合來產(chǎn)生光。當電源電壓施加在極性的p端上時,將產(chǎn)生空穴機制使得光子能夠從激光二極管底部射出。在激光二極管結構內(nèi)部注入電子與空穴,在量子阱處的光子得到“增強"或“受激"并開始下落。


結構:

具有一個類似于p-n結構的半導體器件結構,其中n型區(qū)域被放置在p型區(qū)域中,從而形成了一個p-n結。在激光二極管的n型區(qū)域中,有一段寬度很窄的層,稱為量子阱(QW),這個區(qū)域位于半導體的活性區(qū),這里的活性區(qū)是指電荷載流子(電子和空穴)重新組合而產(chǎn)生光子的地方。QW是由鎵等元素構成的薄層,因其厚度在幾納米至幾十納米之間,電流流過時將被限制在這個區(qū)域內(nèi)。


型號:

HL37013MG

HL40041MG

HL40053MG

HL40093MG


USHIO激光二極管HL40053MG原理應用及結構特點介紹



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