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發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部分與多數載流子（多子）復合而發光，如圖1所示。假設發光是在P區中發生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光，或者先被發光中心捕獲后，再與空穴復合發光。除了這種發光復合外，還有
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干法刻蝕的工藝參數，一般指刻蝕條件中可以被調整的條件項目。即，刻蝕條件中的工藝氣體的流量、各工藝氣體之間的比例、腔體的壓力、腔體上下電極上設定的功率、下部電極的溫度(及腔壁的設定溫度)、終點檢測系統中檢測窗口的設定參數。通常我們利用工藝參數與刻蝕參數之間的關系，來制定可以滿足規格圖形需要的刻蝕條件。比如，對于一些尺寸規格較小的接觸孔圖形，在干法刻蝕的過程中，常會出現中途刻蝕停止的現象，這往往是由于反應聚合物在孔內側壁聚積引起的。由于接觸孔的孔徑較小，內壁上聚合物的堆積回阻止等離子自由活性激團進一
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我們可以了解到干法刻蝕的主要過程。反應腔體內氣體等離子體中的離子，在反應腔體的扁壓作用下，對被刻蝕的表面進行轟擊，形成損傷層，從而加速了等離子中的自由活性激團在其表面的反應，經反應后產生的反應生成物，一部分被分子泵從腔體排氣口排出，一部分則在刻蝕的側壁上形成淀積層。干法刻蝕就是在自由活性激團與表面反應和反應生成物不斷淀積的過程中完成的。離子轟擊體現了干法刻蝕的異方性，而由于側壁的淀積，則很好的抑制了自由活性激團反應時，等方性作用對側壁的刻蝕[3]。正因為干法刻蝕這一物理反應和化學反應相結合的du
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干法刻蝕中的等離子體干法刻蝕工藝是利用氣體中陰陽粒子解離后的等離子體來進行刻蝕的。所謂的等離子體，宇宙中99%的物質，均處于等子狀態。其中包含了中性的粒子、離子和電子，它們混合在一起，表現為電中性。在干法刻蝕中，氣體中的分子和原子，通過外部能量的激發，形成震蕩，使質量較輕的電子脫離原子的軌道與相鄰的分子或原子碰撞，釋放出其他電子，在這樣的反復過程中，最終形成氣體離子與自由活性激團。而干法刻蝕，則利用了氣體等離子體中的自由活性激團與離子，與被刻蝕表面進行反應，以此形成最終的特征圖形。
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嵌入式系統和單片機都是指在硬件設備中集成計算機系統的技術，但它們有一些不同點：1、概念上的區別：單片機是一種微型計算機系統，它通常指具有微處理器、存儲器、輸入輸出設備、計時計數器等功能模塊的芯片；嵌入式系統是在更廣泛的范圍內應用的，它不僅包括硬件設備，還包括軟件和固件。2、設計思想的區別：單片機是一種面向特定應用的設計思想，它通常具有較高的集成度和較強的實時性，而嵌入式系統則更注重對外圍設備的支持和交互，通常會配備大量的通信接口和標準化接口。3、開發方式的區別：單片機通常需要編寫底層驅動程序和應
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簡單的電路保護裝置是保險絲，也就是將一根很細的導線加上保護套后接入電路。而這種保險絲在溫度達到某一水平后即可熔斷，造成開路。斷路器也是一種電路保護裝置，但可以反復使用，不像保險絲一樣，只能發揮一次作用。基本型斷路器的工作原理如下：電流能磁化電磁體，電磁體產生的磁力隨電流的增強而增強，當電流增大到危險水平時，電磁體產生的磁力也相應增大，拉動與開關聯動裝置相連的金屬桿，使開關斷開，從而中斷電流，保護電路。雙金屬條也是利用類似的原理來實現對電路的保護的，在高電流下，金屬條發生變形，變形到一定程度時便會
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光電式傳感器光電式傳感器的知識，不知道大家是否有了解呢？傳感器的認識相信大家一定不會陌生了。光電式傳感器的光電效應是怎樣的呢？以下，小編將與大家分享光電式傳感器的光電效應相關方面知識。它是光照射到某些物質上，使該物質的導電特性發生變化的一種物理現象，可分為外光電效應和內光電效應和光生伏te效應三類。外光電效應是指，在光線作用下物體內的電子逸出物體表面向外發射的物理現象。光子是以量子化粒子的形式對可見光波段內電磁波的描述。光子具有能量hv，h為普朗克常數，v為光頻。光子通量則相應于光強。外光電效應
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光電效應指的是當金屬受到光線照射時，從金屬表面發射電子的現象。入射光線的能量被金屬內的電子所吸收，從而這些電子有足夠的能量從金屬表面“沖出”，實際上可以認為是發射出來。當使用經典麥克斯韋光波方程解釋這種現象時，我們可以得到一個結論，入射光線強度越大，金屬表面釋放的電子的能量也將越大，即釋放電子的平均能量隨著入射光線的強度增大而增大。事實上，Lénard發現這并非如此。相反，釋放電子的能量與入射光線的強度是無關的。愛因斯坦（1905）成功地解決了這一矛盾。他認為入射光線是由獨立的量子組成，常被稱為
