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產地類別 | 進口 | 應用領域 | 環保,地礦,建材,電子,電氣 |
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恩智浦 半導體高頻管射頻功放管
BLL6H1214-500
恩智浦 半導體高頻管射頻功放管
關于恩智浦(NXP)的BLF8G27LS-150GV和BLF8G38LS-75V這兩款高頻管射頻功放管,以下是對它們的具體分析和介紹:
技術特點:
采用優良的LDMOS技術,具有高熱穩定性和低輸出電容。
典型漏極效率可達30%,能夠節省能源并降低功耗。
內置ESD保護,保護器件免受靜電放電損壞。
內部匹配,無需外部匹配電路,易于使用。
應用場景:
適用于2500MHz到2700MHz頻段的W-CDMA基站和多功能載波應用。
可用于Doherty放大器設計,利用其低輸出電容特性實現高效放大。
性能參數:
頻率范圍:2.5GHz~2.7GHz(具體可能因產品批次和測試條件而略有差異)。
輸出功率、增益、電壓和電流等參數需根據具體應用場景和測試條件來確定。
基本信息:
BLF8G38LS-75V是一款由恩智浦(NXP)生產的射頻功放管。
封裝與外觀:
采用原廠封裝,具體封裝形式可能因產品批次和市場需求而有所調整。
性能與應用:
該器件具有出色的射頻功率放大性能,適用于各種高頻通信和射頻應用。
具體應用場景包括但不限于無線通信基站、雷達系統、衛星通信等。
價格與采購:
價格可能因市場供需關系、采購數量以及銷售渠道的不同而有所差異。
建議通過正規的電子元器件供應商或代理商進行采購,以確保產品質量和售后服務。
BLF8G27LS-150GV和BLF8G38LS-75V都是恩智浦(NXP)生產的優質高頻管射頻功放管。它們各自具有的技術特點和應用場景,能夠滿足不同領域的高頻通信和射頻應用需求。在選擇和使用時,建議根據具體的應用場景和性能需求進行綜合考慮,并參考產品手冊和技術文檔以確保正確使用和維護。
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