nidec壓力傳感器P-8505
適用介質不腐蝕SUS316L的氣體/液體
指導方法表壓
額定壓力范圍0-50、0-100、0-350、0-1000kPa
電源1.5 mA DC（恒流）
輸出[量程電壓]90±30mV
線性/遲滯
±0.3%FS, ±0.5%FS
接頭形狀φ17.5mm
nidec壓力傳感器P-8505
nidec壓力傳感器P-8505
曝光 通過光照，只有光刻膠膜曝光的部分發生變化，轉移到硅片表面。可以說，這個過程需要最細微的技術。然后將其浸入顯影劑中，僅溶解硅晶片上的曝光區域。此時剩余的光刻膠膜即為9)的刻蝕掩模。
9）蝕刻
這是用溶液刮掉氧化膜和薄膜的工作。任何剩余的光刻膠都不會被刮掉。有兩種類型的蝕刻：使用溶液的濕法蝕刻和使用氣體的干法蝕刻。
10) 抗蝕劑剝離/清潔
剩余的光刻膠通過與化學品和氣體的化學反應被剝離。如果您在最后進行清潔，您將擁有預期的電路。
11)
通過添加通過離子注入熱處理激活的雜質離子，可以改變半導體的特性。
12) Silicon wafer smoothing
Silicon wafer本身可能因為涂了一層薄膜而有凹凸不平，所以要重新打磨。通過重復從 7)
-60
°C 的過程控制。（鏡面型）露點儀
④ 過程和無塵室需要相對濕度水平控制的
? 簡單的 EE060
⑤ 需要大量水分并需要控制恒定水分的過程
? 主要在高溫和高濕度下測量 EE33 帶防結露措施的溫濕度計
氧氣濃度測量
(1) 需要通過氫氣置換
等去除氧氣的工序? 2001LC 原電池式氧氣濃度
計，
可確認 1 ppm 以下。4100
| 適用介質 | 不腐蝕SUS316L的氣體/液體 |
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| 指導方法 | 表壓 |
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| 額定壓力范圍 | 0-50、0-100、0-350、0-1000kPa |
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| 電源 | 1.5 mA DC（恒流） |
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| 輸出[量程電壓] | 90±30mV |
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線性/遲滯 | ±0.3%FS, ±0.5%FS |
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| 接頭形狀 | φ17.5mm |
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