目錄:四川梓冠光電科技有限公司>>硅基芯片>>芯片>> ZG-VOASOI芯片式高速光衰減器
SOI芯片式高速多通道光衰減器
SOI芯片式高速多通道光衰減器基于硅基載流子色散效應(yīng)實現(xiàn)高速響應(yīng)的可調(diào)光路衰減，實現(xiàn)多通道VOA器件單片化集成，芯片與多通道光纖陣列和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝，數(shù)字化驅(qū)動，偏振相關(guān)性小，衰減范圍大，調(diào)節(jié)精度高，衰減值穩(wěn)定，響應(yīng)時間為納秒級，可在高速、低時延系統(tǒng)中應(yīng)用。
SOI芯片式高速光衰減器
SOI芯片式高速光衰減器
〖性能指標Specifications〗
參數(shù)指標 Parameters
| 單位 Unit | 最小值 Min. | 典型值 Typ.
| 最大值 Max. | 備注 Notes |
波長范圍 Wavelength range | nm | 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm | |||
衰減范圍 Attenuation range
| dB | 20 | 25 | 40 | |
插入損耗 Insertion loss | dB | 0.8 | 1.2 | 2 | |
偏振相關(guān)損耗 PDL | dB | 0.3 | 0.5 | ||
衰減精度 Attenuation accuracy | dB | ±0.1 | |||
通道數(shù) number of channels
| 8—16或可定制 8—16 or Can be customized | ||||
光功率 Transmission optical power | mW | 80或可定制 80 or Can be customized | |||
芯片級響應(yīng)時間 Response Time | ns | 30 | 200 | 300 | |
工作溫度范圍 Operating temperature range | °C | -20 | 50 | ||
驅(qū)動電流 drive current
| mAAA | 45 | 60 | 20dB 衰減時 20dB attenuation time | |
驅(qū)動電壓 drive voltage
| V | 4.2 | 4.5 | 20dB 衰減時 20dB attenuation time | |
工作濕度范圍 Operating humidity range | % | +65 | |||
芯片尺寸 Chip Dimensions | mm | 15.5(L)×1.8(W)×0.5(H) | |||
ZG | 波長 Wavelength | 衰減大小 Attenuation size
| 通道數(shù) Number of channels |
13=1310nm 15=1550nm | 1=20dB 2=40dB
| 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH 48=48CH XX=Other
|
1. 高精度：能夠?qū)崿F(xiàn)對光信號強度的精確調(diào)節(jié)，滿足各種測試和應(yīng)用需求。
2. 高穩(wěn)定性：采用優(yōu)質(zhì)的光學材料和精密的加工工藝，確保設(shè)備在長時間使用過程中仍能保持穩(wěn)定的性能。
3. 易用性：通常配備直觀的操作界面和友好的人機交互設(shè)計，使用戶能夠輕松地進行光信號強度的調(diào)節(jié)。
4. 廣泛的應(yīng)用范圍：適用于光纖通信系統(tǒng)、光纖器件測試與研究、光通信教學與試驗等多個領(lǐng)域。
4
化工儀器網(wǎng)