應用領域	電氣	貨號	2864150

菲尼克斯存儲器2729389 IBS MC FLASH 2MB

存儲器 - IBS MC FLASH 2MB
2729389

程序和組態(tài)存儲器，2 Mbyte

產(chǎn)品類型	存儲介質(zhì)
套件包括	2719483 IBS PLC5 DSC SYSKIT
	2719496 IBS PLC5 DSC SYSKIT E
	2725930 IBS BA DSC SYSKIT
	2725927 IBS BA DSC SYSKIT E
	2731089 IBS MEA SC SYSKIT
	2731092 IBS MEA SC SYSKIT E
	2723657 IBS GE 90-70 SC SYSKIT
	2723644 IBS GE 90-70 SYSKIT E
	2721303 IBS S7 300 SYSKIT
	2721316 IBS S7 300 SYSKIT E
	2721361 IBS S7 400 SYSKIT E
	2721374 IBS S7 400 SYSKIT
	2740067 IBS S7 400 ETH SYSKIT
	2740070 IBS S7 400 ETH SYSKIT E
	2751373 IBS S5 DSC SYSKIT
	2751386 IBS S5 DSC SYSKIT E

電氣特性

額定條件下的最大功耗	0.45 W
電源
電源電壓	5 V DC
電源電壓范圍	4.5 V DC ... 5.5 V DC
典型電流耗量	典型值 90 mA

尺寸

寬度	54 mm
高度	85.6 mm
深度	3.3 mm

環(huán)境和真實條件

環(huán)境條件
環(huán)境溫度（運行）	-40 °C ... 85 °C

存儲器是許多存儲單元的集合，按單元號順序排列。每個單元由若干二進制位構成，以表示存儲單元中存放的數(shù)值，這種結構和數(shù)組的結構非常相似，故在VHDL語言中，通常由數(shù)組描述存儲器。

存儲器是用來存儲程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內(nèi)存)和輔助存儲器(簡稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。

主存的工作方式是按存儲單元的地址存放或讀取各類信息，統(tǒng)稱訪問存儲器。主存中匯集存儲單元的載體稱為存儲體，存儲體中每個單元能夠存放一串二進制碼表示的信息，該信息的總位數(shù)稱為一個存儲單元的字長。存儲單元的地址與存儲在其中的信息是一一對應的，單元地址只有一個，固定不變，而存儲在其中的信息是可以更換的。

指示每個單元的二進制編碼稱為地址碼。尋找某個單元時，先要給出它的地址碼。暫存這個地址碼的寄存器叫存儲器地址寄存器(MAR)。為可存放從主存的存儲單元內(nèi)取出的信息或準備存入某存儲單元的信息，還要設置一個存儲器數(shù)據(jù)寄存器(MDR)。

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