美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機(jī)械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分，而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經(jīng)信號。

3D 微電極陣列為球形類器官創(chuàng)建一個更貼近自然地環(huán)境，以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項新技術(shù)將推動創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關(guān)癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

Mechanics Module力學(xué)模塊

功能

細(xì)胞、組織拉伸模塊，對細(xì)胞進(jìn)行牽張刺激加載

應(yīng)用

3種細(xì)胞拉伸模型可用于不同應(yīng)用：神經(jīng)退行性疾病、神經(jīng)創(chuàng)傷、組織工程、藥物篩選
可變應(yīng)變率
提供各種應(yīng)變曲線（徑向、線性、定制）
可定制
在培養(yǎng)箱中使用
可以添加成像和電生理模塊

描述

★支持雙軸和單軸拉伸兩種模式

★可快速沖擊損傷拉伸或周期性拉伸

★連續(xù)可調(diào)的牽張率和頻率

★可以偶聯(lián)成像和電生理模塊

★實時生成應(yīng)變曲線（徑向，線性，自定義）

★自定義應(yīng)變場

★應(yīng)變速率高達(dá)80 / s

★高達(dá)50％的應(yīng)變

★任何拉伸圖案

★高重復(fù)性

★可在培養(yǎng)箱中使用