美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統

機械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經和神經退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術將使研究人員能夠準確評估這些結構的健康狀況和功能，以推進眾多領域的藥物測試和組織工程。
大腦類器官使用人體細胞來復制大腦的 3 維結構。 與動物模型和 2D 細胞培養物相比，它們可用作在更接近人體的環境中研究神經和神經退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號的方法的限制所扼殺。

傳統到的商業微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分，而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經信號。

牽張、多電極陣列刺激記錄電生理采集分析、高分辨率成像三位一體系統

該細胞組織可拉伸微電極陣列刺激與成像記錄系統使研究人員能夠可重復且可靠地研究生理和病理機械拉伸對生物組織電生理的影響。

該細胞組織可拉伸微電極陣列刺激與成像記錄系統是研究人員以機械方式拉伸細胞/組織，對其進行光學成像以及單獨/同時記錄/刺激電生理活動的完整解決方案。

技術特點概述：

電極的特性：

柔性，可拉伸，軟（Flexible, Stretchable and Soft）

記錄和刺激電生理活動（Recording and Stimulation of Electrophysiological Activity）

機械力方面強大：拉伸，彎曲，扭曲（Mechanically robust: stretch, bend, twist）

阻抗定量測量分析

細胞電生理活動數據采集、及分析

允許在整個拉伸過程中對細胞進行光學成像，以驗證組織應變并檢測組織中的形態變化。

2×60通道

★雙軸，單軸
★自定義應變場
★一種快速沖動拉伸或周期性拉伸
★高達50％的應變
★應變速率高達80 / s
★任何拉伸圖案
★高重復性

 -細胞牽張刺激前后或刺激期間，多電極刺激、阻抗定量測量以及記錄電生理活動數據采集記錄

模型可用于不同的應用：神經退行性疾病，神經創傷，組織工程，藥物篩選